[发明专利]RF半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种RF半导体器件及其制造方法。该射频(RF)半导体器件包括：半导体衬底；电阻器膜，其形成在所述半导体衬底的一个区域处；第一金属层，其形成在所述半导体衬底上；电介质层，其至少形成在所述下电极膜上；第二金属层，其形成在所述电介质层上；第一绝缘层，其具有与所述第一金属层相连接的第一焊盘通孔、与所述第二金属层相连接的电容器通孔以及与所述第一或第二金属层相连接的电感器通孔。第三金属层包括分别填充所述电容器通孔和所述电感器通孔的填充部分以及第二电路线。第二绝缘层形成在所述第一绝缘层上，以具有与所述第一焊盘通孔相连接的第二焊盘通孔。在所述第一和第二焊盘通孔处形成接合焊盘。

主权项

一种射频(RF)半导体器件，包括：半导体衬底；电阻器膜，所述电阻器膜被形成在所述半导体衬底的一个区域上，并且被提供为电阻器元件；第一金属层，所述第一金属层被形成在所述半导体衬底上，并且被提供为用于与所述电阻器膜相连接的第一电路线且用于电容器的下电极膜；电介质层，所述电介质层被至少形成在所述下电极膜上；第二金属层，所述第二金属层被形成在所述电介质层上，并且被提供为用于与所述第一金属层相连接的部分且用于所述电容器的上电极膜；第一绝缘层，所述第一绝缘层具有与所述第一金属层相连接的第一焊盘通孔、与所述第二金属层相连接的电容器通孔以及与所述第一或第二金属层相连接的电感器通孔；第三金属层，所述第三金属层包括分别填充所述电容器通孔和所述电感器通孔的填充部分，并且提供第二电路线和电感器线，所述第二电路线被形成在所述第一绝缘层上并且与所述电容器通孔的所述填充部分相连接，所述电感器线与所述电感器通孔的所述填充部分相连接；第二绝缘层，所述第二绝缘层被形成在所述第一绝缘层上，使得所述第二绝缘层覆盖所述第三金属层并且具有与所述第一焊盘通孔相连接的第二焊盘通孔；以及接合焊盘，所述接合焊盘被形成在所述第一和第二焊盘通孔处，使得所述接合焊盘与所述第一金属层相连接。