专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]功率合成器、含有其的功率放大模块及信号收发模块-CN201110256447.1有效
  • 金基仲;金胤锡;元俊九;崔在爀;朴相昱;尹喆焕 - 三星电机株式会社
  • 2011-08-31 - 2012-10-17 - H03F3/20
  • 提供了由印刷电路板实现的功率合成器、含有其的功率放大模块及信号收发模块。该功率合成器包括:初级线圈单元,形成于印刷电路板的一个表面上,用以接收包含正平衡信号和负平衡信号的多个平衡信号,并包括多个正初级线圈和多个负初级线圈,其中,多个正初级线圈和多个负初级线圈分别彼此隔开预定间隔,多个正初级线圈的一端和多个负初级线圈的一端分别共同连接,以由此接收多个正平衡信号和多个负平衡信号,并且多个正初级线圈的另一端与多个负初级线圈的另一端相互连接以由此形成回路;以及次级线圈单元,形成于印刷电路板的另一表面上,并且包括用以将来自形成回路的初级线圈的多个平衡信号的功率合成的次级线圈,以由此输出单端信号。
  • 功率合成器含有放大模块信号收发
  • [发明专利]变压器-CN201110274471.8有效
  • 南重镇;尹喆焕;金基仲;朴珠荣;元俊九;金胤锡 - 三星电机株式会社
  • 2011-09-15 - 2012-04-04 - H01F27/28
  • 提供的变压器,在其结构中第一和第二基板竖直交叠,变压器包括:多条输入导线,沿第一基板的圆周设置在第一基板上,每条输入导线的两端分别设置为正(+)和负(-)信号输入端;单条输出导线,与多条输入导线共面设置并形成在至少一条输入导线的附近以与至少一条输入导线电磁耦合,单条输出导线的一端接地;以及空气桥,包括:一对导电过孔,形成在交叠区域的任一条导线上以穿透第一基板,在交叠区域中输入导线和输出导线相互交叉;单一导线段,将一对导电过孔相互连接且设置在第二基板上,以防止输入导线与输出导线之间短路。设置多个交叠区域,使得在每个交叠区域中只允许两条导线相互交叠。因此,变压器设计可简化,制造周期也可被缩短。
  • 变压器
  • [发明专利]RF功率放大器-CN201110034145.X无效
  • 金胤锡;张大锡;裴孝根;金圣根;宋泳镇;朴珠荣 - 三星电机株式会社
  • 2011-01-31 - 2012-04-04 - H03F3/20
  • 一种RF功率放大器,包括RF扼流圈、功率放大电路单元和静电放电(ESD)保护单元。RF扼流圈连接至通过其来施加工作电压的电压端子。RF扼流圈提供工作电压,并中断RF信号。通过RF扼流圈向功率放大电路单元提供工作电压。功率放大电路单元放大通过输入端子输入的输入信号,并通过输出端子输出所放大的输入信号。ESD保护单元连接在第一连接节点和地之间。ESD保护单元将ESD电压从第一连接节点分流至地,第一连接节点是在电压端子与RF扼流圈之间的节点。
  • rf功率放大器
  • [发明专利]CMOS功率放大器-CN201110203512.4有效
  • 金胤锡;尹喆焕;南重镇;金基仲;元俊九 - 三星电机株式会社
  • 2011-07-20 - 2012-02-08 - H03F3/20
  • 一种CMOS功率放大器,包括:第一MOS晶体管,连接于第一电源端子和第一输出级之间,并具有连接至输入级的栅极;第二MOS晶体管,连接于第一输出级和接地端之间,并具有连接至输入级的栅极;切换电路单元,将输入级和第一输出级之间的反馈线路连接或断开以选择线性放大操作或非线性放大操作;以及电阻器,设置在输入级和第一输出级之间的反馈线路上,以在接通反馈线路时确定线性放大增益。
  • cmos功率放大器
  • [发明专利]RF半导体器件及其制造方法-CN201110005743.4无效
  • 金基仲;金镇硕;金广植;金胤锡;姜英植;朴泰俊 - 三星电机株式会社
  • 2011-01-07 - 2011-08-17 - H01L27/01
  • 本发明提供一种RF半导体器件及其制造方法。该射频(RF)半导体器件包括:半导体衬底;电阻器膜,其形成在所述半导体衬底的一个区域处;第一金属层,其形成在所述半导体衬底上;电介质层,其至少形成在所述下电极膜上;第二金属层,其形成在所述电介质层上;第一绝缘层,其具有与所述第一金属层相连接的第一焊盘通孔、与所述第二金属层相连接的电容器通孔以及与所述第一或第二金属层相连接的电感器通孔。第三金属层包括分别填充所述电容器通孔和所述电感器通孔的填充部分以及第二电路线。第二绝缘层形成在所述第一绝缘层上,以具有与所述第一焊盘通孔相连接的第二焊盘通孔。在所述第一和第二焊盘通孔处形成接合焊盘。
  • rf半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]多级CMOS功率放大器-CN201010215236.9有效
  • 金胤锡;裵孝根;南重镇;元俊九;金基仲 - 三星电机株式会社
  • 2010-06-25 - 2011-05-11 - H03F1/02
  • 本发明提供了一种多级CMOS功率放大器,其包括:激励放大器,具有差动输出端,使通过第一和第二输入端输入的差动信号反相,并通过差动输出端输出相应反相的信号;变压器,用于功率匹配,具有连接在激励放大器的差动输出端之间的初级线圈以及利用电磁感应与初级线圈耦合的次级线圈,次级线圈相对于初级线圈具有预定匝数比,并连接至直流电(DC)调谐电压端;以及功率放大器,功率放大通过变压器的次级线圈的一端和另一端的差动信号,并通过第一和第二输出端输出相应功率放大的差动信号。
  • 多级cmos功率放大器
  • [发明专利]具有高控制分辨率的矢量调制器-CN200910261531.5无效
  • 金维新;洪圣喆;孙基龙;金胤锡 - 三星电机株式会社;韩国科学技术院
  • 2009-12-18 - 2011-03-30 - H03F1/12
  • 一种具有高控制分辨率的矢量调制器。信号分离单元将输入信号分离为具有不同相位的两个信号。第一增益控制单元包括至少两个串联的衰减器,控制被分离的信号中的一个的增益并具有根据具有不同大小的增益控制电压变化的衰减增益。第一控制电压产生单元分压从外部输入的主控制电压以产生第一增益控制单元的衰减器的增益控制电压。第二增益控制单元包括至少两个串联的衰减器,控制被分离的信号中的另一个的增益并具有根据具有不同大小的增益控制电压而变化的衰减增益。第二控制电压产生单元分压主控制电压以产生第二增益控制单元的衰减器的增益控制电压。信号组合单元,组合分别被第一增益控制单元和第二增益控制单元控制其增益的信号。
  • 具有控制分辨率矢量调制器
  • [发明专利]变压器-CN200910161289.4有效
  • 金基仲;裴孝根;南重镇;元俊九;宋泳镇;金胤锡 - 三星电机株式会社
  • 2009-07-30 - 2010-06-09 - H01F30/06
  • 本发明提供了一种变压器,所述变压器包括:至少一条输入导线,具有分别设置为正(+)信号输入端口和负(-)信号输入端口的两端;一条输出导线,设置为与所述至少一条输入导线相邻,以与所述至少一条输入导线电磁耦合,所述一条输出导线的一端接地;第一谐振器,设置在所述一条输出导线的另一端和地之间;第二谐振器,具有与所述一条输出导线的另一端连接的一端以及设置为输出端口的另一端。
  • 变压器
  • [发明专利]用于无线通信的Tx模块-CN200910138570.6无效
  • 金基仲;饭塚伸一;裴孝根;金相喜;南重镇;金胤锡 - 三星电机株式会社
  • 2009-05-08 - 2010-06-09 - H04W52/04
  • 一种用于无线通信的Tx模块,包括:多个Tx信号输入端,分别接收不同频率的Tx信号;多个功率放大单元,具有分别连接到多个Tx信号输入端的输入端;多个匹配电路单元,被配置为具有分别连接到多个功率放大单元的输出端的输入端的变压器;多个谐波滤波器单元,具有分别连接到多个匹配电路单元的输出端的输入端;切换单元,具有分别连接到多个谐波滤波器单元的输出端的输入端并选择通过输入端输入的信号中的一个作为输出;增益/切换控制单元,控制功率放大单元的增益并控制切换单元的输出选择;Tx信号输出端,连接到切换单元的输出端。
  • 用于无线通信tx模块

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