[发明专利]树脂组合物、半导体晶片接合体和半导体装置无效
申请号: | 201080046533.3 | 申请日: | 2010-10-14 |
公开(公告)号: | CN102576712A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 高桥丰诚;川田政和;米山正洋;出岛裕久;白石史广;佐藤敏宽 | 申请(专利权)人: | 住友电木株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L23/02;H01L23/10 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 崔香丹;洪燕 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的树脂组合物是在半导体晶片(101′)与透明基板(102)之间设置俯视状态下呈格状的隔片(104)时使用,由含有碱溶性树脂、热固性树脂和光聚合引发剂的构成材料所构成,当通过隔片(104)对半导体晶片(101′)和透明基板(102)进行接合时,在其俯视状态下的基本整个面上形成隔片(104),然后,将半导体晶片(101′)调整为1/5的厚度时的翘曲的大小为3000μm以下。另外,优选半导体晶片接合体2000在加工前的翘曲大小为500μm以下、并且在其加工后的翘曲增大率为600%以下。 | ||
搜索关键词: | 树脂 组合 半导体 晶片 接合 装置 | ||
【主权项】:
一种树脂组合物,其用于在半导体晶片与透明基板之间设置俯视状态下呈格状的隔片,并且由包含碱溶性树脂、热固性树脂和光聚合引发剂的构成材料所构成,其特征在于,当通过所述隔片接合基本呈圆形的直径为8英寸且厚度为725μm的所述半导体晶片和基本呈圆形的直径为8英寸且厚度为350μm的所述透明基板时,在其俯视状态下的基本整个面上形成所述隔片,然后,对所述半导体晶片的与所述隔片相反侧的面施以基本均匀地进行研削和/或研磨的加工,以使所述半导体晶片成为1/5的厚度,此时,当以所述透明基板侧作为下侧而放置于平面上时,在所述平面与所述透明基板的表面所形成的空隙的最大高度即翘曲大小为3000μm以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的