[发明专利]制作半导体发光元件的方法

摘要

本发明提供一种可将活性层的压电极化的朝向选择为适宜方向的制作半导体发光元件的方法。在步骤S104中，一面对基板产物施加偏压，一面进行基板产物的光致发光的测定，而获得基板产物的光致发光的偏压依赖性，该基板产物通过以所选择的一个或多个倾斜角生长用于发光层的量子阱构造、p型及n型氮化镓系半导体层而形成。在步骤S105中，根据偏压依赖性进行基板主面的所选择的各倾斜角各自在发光层的压电极化的朝向的预测。在步骤S106中，基于预测而判断应使用与基板主面对应的倾斜角及与基板主面的背面对应的倾斜角的哪一个，从而选择用以制作半导体发光元件的生长基板的面取向。将用于半导体发光元件的半导体叠层形成于生长基板的主面上。

主权项

一种制作半导体发光元件的方法，其特征在于，包含以下步骤：为预测发光层的压电极化的朝向，而选择用于由III族氮化物半导体构成的基板主面的一个或多个倾斜角的步骤；准备具有上述选择的倾斜角且由III族氮化物半导体构成的基板主面的基板的步骤；以上述选择的倾斜角，生长用于上述发光层的量子阱构造、p型及n型氮化镓系半导体层，准备基板产物的步骤；一面对上述基板产物施加偏压一面进行上述基板产物的光致发光的测定，而获得上述基板产物的光致发光的偏压依赖性的步骤；根据上述测定的偏压依赖性，预测上述基板主面的上述选择的倾斜角各自在上述发光层的压电极化的朝向的步骤；基于上述预测而判断应使用与上述基板主面对应的倾斜角及与上述基板主面的背面对应的倾斜角的哪一个，从而选择用以制作上述半导体发光元件的生长基板的面取向的步骤；及将用于上述半导体发光元件的半导体叠层形成于上述生长基板的主面上的步骤，上述生长基板的上述主面由上述III族氮化物半导体构成，上述倾斜角由上述基板主面与上述III族氮化物半导体的(0001)面所成的角度规定，上述半导体叠层包含第1III族氮化物半导体区域、发光层及第2III族氮化物半导体区域，上述发光层设置于上述第1III族氮化物半导体区域与上述第2III族氮化物半导体区域之间，上述发光层包含阱层及势垒层，上述阱层及上述势垒层各自沿着相对于与基准轴正交的面倾斜的基准平面而延伸，所述基准轴在上述III族氮化物半导体的c轴上延伸，上述阱层由第1氮化镓系半导体构成，上述势垒层由与上述第1氮化镓系半导体不同的第2氮化镓系半导体构成，上述阱层内含应变，上述第1III族氮化物半导体区域包含一个或多个n型III族氮化物半导体层，上述第2III族氮化物半导体区域包含一个或多个p型III族氮化物半导体层。