[发明专利]制作半导体发光元件的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种制作半导体发光元件的方法。

背景技术

非专利文献1中记载有一种使用GaN基板的发光二极管。该发光二极管形成于GaN基板的(11-2-2)面上。该(11-2-2)面显示半极性。发光二极管具有由InGaN/GaN构成的单一量子阱构造的发光层，其发光波长为600nm。

非专利文献2中记载有一种使用GaN基板的激光二极管。该激光二极管形成于GaN基板的(10-1-1)面上。该(10-1-1)面显示半极性。激光二极管具有由InGaN/GaN构成的多重量子阱构造的发光层，其发光波长为405.9nm(蓝紫色)。

在先技术文献

非专利文献

非专利文献1：Mitsuru FUNATO et.al.“Blue，Green，and Amber InGaN/GaN Light-Emitting Diodes on Semipolar{11-22}GaN Bulk Substrates”，Japanese Journal of Applied Physics，Vol.45，No.26，2006，pp.L659-L662，

非专利文献2：Anurag TYAGI et.al.“Semipolar(10-1-1)InGaN/GaN Laser Diodes on Bulk GaN Substrates，”Japanese Journal of Applied Physics，Vol.46，No.19，2007，pp.L444-L445

发明内容

发明要解决的问题

如非专利文献1及非专利文献2所示，在GaN基板的半极性面上制作氮化镓系半导体发光元件。氮化镓系半导体显示压电极化，其影响涉及发光特性的各个层面。

另一方面，在c面上制作的发光元件中，压电极化会引起以蓝移为代表的发光波长的移位，从而会引起空穴的波动函数与电子的波动函数的空间分离而使发光效率降低。但是，根据发明人等的见解，并非压电极化一概为零就对发光元件较佳，也有通过压电极化的利用可改善发光特性的情形。即，压电极化的影响在发光特性中不只是表现在单一的侧面，也可能表现在若干个侧面上，此时，有期望将若干个发光特性中的某个特性优化的情形，也有期望将折衷关系的若干个发光特性各自调整好的情形。

压电极化与内含于结晶内的应变相关。发光元件的发光层的应力依赖于用于半导体发光元件的基板主面的面取向、生长于该基板主面上的半导体叠层的构造。此外，发光特性与例如发光层的压电极化的朝向相关联。因此，关于压电极化的朝向，在适用于发光元件的实际的半导体叠层中，并不容易实验性地预测压电极化的朝向。

本发明在于提供一种可将活性层的压电极化的朝向选择为适宜方向的制作半导体发光元件的方法。

用于解决问题的技术手段