[发明专利]制作半导体发光元件的方法

权利要求书

1.一种制作半导体发光元件的方法，其特征在于，

包含以下步骤：

为预测发光层的压电极化的朝向，而选择用于由III族氮化物半导体构成的基板主面的一个或多个倾斜角的步骤；

准备具有上述选择的倾斜角且由III族氮化物半导体构成的基板主面的基板的步骤；

以上述选择的倾斜角，生长用于上述发光层的量子阱构造、p型及n型氮化镓系半导体层，准备基板产物的步骤；

一面对上述基板产物施加偏压一面进行上述基板产物的光致发光的测定，而获得上述基板产物的光致发光的偏压依赖性的步骤；

根据上述测定的偏压依赖性，预测上述基板主面的上述选择的倾斜角各自在上述发光层的压电极化的朝向的步骤；

基于上述预测而判断应使用与上述基板主面对应的倾斜角及与上述基板主面的背面对应的倾斜角的哪一个，从而选择用以制作上述半导体发光元件的生长基板的面取向的步骤；及

将用于上述半导体发光元件的半导体叠层形成于上述生长基板的主面上的步骤，

上述生长基板的上述主面由上述III族氮化物半导体构成，

上述倾斜角由上述基板主面与上述III族氮化物半导体的(0001)面所成的角度规定，

上述半导体叠层包含第1III族氮化物半导体区域、发光层及第2III族氮化物半导体区域，

上述发光层设置于上述第1III族氮化物半导体区域与上述第2III族氮化物半导体区域之间，

上述发光层包含阱层及势垒层，

上述阱层及上述势垒层各自沿着相对于与基准轴正交的面倾斜的基准平面而延伸，所述基准轴在上述III族氮化物半导体的c轴上延伸，

上述阱层由第1氮化镓系半导体构成，

上述势垒层由与上述第1氮化镓系半导体不同的第2氮化镓系半导体构成，

上述阱层内含应变，

上述第1III族氮化物半导体区域包含一个或多个n型III族氮化物半导体层，

上述第2III族氮化物半导体区域包含一个或多个p型III族氮化物半导体层。

2.如权利要求1所述的制作半导体发光元件的方法，其中，

还具备根据上述压电极化的朝向的预测，对应于上述压电极化的正负符号而进行包含上述多个倾斜角的角度范围的划分的步骤，

上述判断基于上述划分而进行。

3.如权利要求1或2所述的制作半导体发光元件的方法，其中，上述基板产物使用III族氮化物基板制作。

4.如权利要求1至3中任一项所述的制作半导体发光元件的方法，其中，上述发光层的发光波长在460nm以上550nm以下。

5.如权利要求1至4中任一项所述的制作半导体发光元件的方法，其中，在选择上述多个倾斜角的上述步骤中，选择表示2个以上面取向的角度。

6.如权利要求1至5中任一项所述的制作半导体发光元件的方法，其中，上述生长基板的上述面取向包含在上述倾斜角为40度以上140度以下的角度范围内。

7.如权利要求1至6中任一项所述的制作半导体发光元件的方法，其中，

上述阱层由InGaN构成，

上述势垒层由InGaN或GaN构成，

上述阱层的压缩应变由源自上述势垒层的应力所引致，

上述基板产物使用GaN基板制作。

8.如权利要求1至7中任一项所述的制作半导体发光元件的方法，其中，上述生长基板的主面以使上述阱层的压电极化的朝向自上述n型III族氮化物半导体层朝上述p型III族氮化物半导体层的方式进行选择。

9.如权利要求1至8中任一项所述的制作半导体发光元件的方法，其中，

上述发光层具有多重量子阱构造，

上述势垒层的带隙能量与上述阱层的带隙能量之差在0.7eV以上。

10.如权利要求1至9中任一项所述的制作半导体发光元件的方法，其中，还具备以下步骤，即，当上述预测表示在上述多个倾斜角下的角度范围的一部分或全部中上述压电极化的朝向为自上述n型III族氮化物半导体层朝上述p型III族氮化物半导体层的正方向时，将具有如下主面的基板作为上述生长基板进行准备：该主面提供表示上述正方向压电极化的倾斜角。