[发明专利]具有反射结构的半导体发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201080026730.9 | 申请日： | 2010-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102460744A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | M·多诺弗里欧;J·艾贝森;Z·J·姚 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/46;H01L33/20;H01L33/42;H01L33/22 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 发光二极管包括二极管区域，二极管区域具有相对的第一面(110a)和第二面(110b)，并且在其中包括n型层(112)和p型层(116)，发光二极管还包括电阻性地接触p型层(114)并且在第一面上延伸的阳极接触件(130)，以及电阻性地接触n型层(112)并且也在第一面上延伸的阴极接触件(150)。阳极接触件和/或阴极接触件可以进一步在第一面上提供混合反射结构，混合反射结构被设置用于将从第一面发出的基本上所有的光都反射回第一面。还介绍了相关的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 反射 结构 半导体 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括：二极管区域，具有相对的第一面和第二面并且在其中包括n型层和p型层；电阻性地接触p型层并且在第一面上延伸的阳极接触件；在阳极接触件外的第一面上延伸的透明绝缘层；以及反射性阴极接触件，电接触n型层并且延伸穿过透明绝缘层且延伸到阳极接触件外的透明绝缘层上，用以通过所述反射性阴极接触件基本上覆盖阳极接触件外的所有的第一面。
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