[发明专利]氮化物半导体基板的制造方法无效
| 申请号： | 201080018752.0 | 申请日： | 2010-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN102414351A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 长田英树;上松康二;中畑成二;中西文毅 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C23C16/01;C30B25/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 谢丽娜;关兆辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种抑制多晶生长、可高效制造以非极性面为主表面的氮化物半导体基板的制造方法，作为氮化物半导体基板的GaN基板的制造方法具有以下工序：准备衬底基板的工序(S10、S20)，该衬底基板由GaN构成，具有相对{1-100}面的偏离角为4.1°以上47.8°以下的主表面；在衬底基板的主表面上外延生长由GaN构成的半导体层的工序(S40)；从半导体层获取主表面是m面的GaN基板的工序(S50)。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体基板的制造方法，其特征在于，具有以下工序：准备衬底基板的工序，该衬底基板由氮化物半导体构成，具有相对{1‑100}面的偏离角为4.1°以上47.8°以下的主表面；在上述衬底基板的上述主表面上，使由氮化物半导体构成的半导体层外延生长的工序；以及从上述半导体层获取主表面是m面的氮化物半导体基板的工序。
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