[发明专利]氮化物类半导体元件以及其制造方法有效
| 申请号： | 201080002932.X | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102203967A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 安杖尚美;横川俊哉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L21/28;H01L33/16;H01L33/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种氮化物类半导体元件，具备：氮化物类半导体层叠构造，其具有表面为m面的p型半导体区域；和电极，其设置在所述p型半导体区域上，所述p型半导体区域由AlxGayInzN(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)半导体形成，所述电极包含Mg、Zn以及Ag。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 物类 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物类半导体元件，具备：氮化物类半导体层叠构造，其具有表面为m面的p型半导体区域；和电极，其设置在所述p型半导体区域上，其中，所述p型半导体区域由AlxGayInzN半导体形成，其中，x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0，所述电极包含Mg、Zn以及Ag。
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