[发明专利]氮化物类半导体元件以及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物类半导体元件，具备：

氮化物类半导体层叠构造，其具有表面为m面的p型半导体区域；和

电极，其设置在所述p型半导体区域上，

其中，

所述p型半导体区域由Al_xGa_yIn_zN半导体形成，其中，x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0，

所述电极包含Mg、Zn以及Ag。

2.根据权利要求1所述的氮化物类半导体元件，其中，

在所述p型半导体区域中掺入Mg，

所述电极中的Mg浓度比所述p型半导体区域的Mg浓度高。

3.根据权利要求1所述的氮化物类半导体元件，其中，

在所述p型半导体区域中掺入Zn，

所述电极中的Zn浓度比所述p型半导体区域的Zn浓度高。

4.根据权利要求1所述的氮化物类半导体元件，其中，

所述电极包含：第一区域，其位于所述电极之中的与所述p型半导体区域相接的部分；和第二区域，其位于所述电极之中的比所述第一区域离所述p型半导体区域远的部分，

较之于所述第一区域，在所述第二区域中的所述Mg以及所述Zn的浓度高，

较之于所述第一区域，在所述第二区域中的所述Ag的浓度低。

5.根据权利要求1～4中任意一项所述的氮化物类半导体元件，其中，

在所述电极中，Ga浓度比N浓度高，

所述Ga浓度从所述p型半导体区域与所述电极之间的界面侧起向着所述电极的表面侧而减少。

6.根据权利要求1～5中任意一项所述的氮化物类半导体元件，其中，

所述电极的厚度为20nm以上且500nm以下。

7.根据权利要求1～6中任意一项所述的氮化物类半导体元件，其中，

该氮化物类半导体元件具有支撑所述半导体层叠构造的半导体基板。

8.根据权利要求1～7中任意一项所述的氮化物类半导体元件，其中，

所述Mg或者Zn以膜状存在于所述电极内的一部分中。

9.根据权利要求1～7中任意一项所述的氮化物类半导体元件，其中，

所述Mg或者Zn以岛状存在于所述电极内的一部分中。

10.一种光源，具备：

氮化物类半导体发光元件；和

波长变换部，其包含将从所述氮化物类半导体发光元件放射出的光的波长进行变换的荧光物质，

其中，

所述氮化物类半导体发光元件具备：

氮化物类半导体层叠构造，其具有表面为m面的p型半导体区域；和

电极，其形成在所述p型半导体区域的所述表面上，

所述p型半导体区域由Al_xGa_yIn_zN半导体构成，其中，x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0，

所述电极包含Mg、Zn以及Ag。

11.一种氮化物类半导体发光元件的制造方法，包括：

准备基板的工序a；

在所述基板上形成氮化物类半导体层叠构造的工序b，该氮化物类半导体层叠构造具有表面为m面的p型半导体区域；和

在所述氮化物类半导体层叠构造的所述p型半导体区域的所述表面上形成电极的工序c，

其中，

在所述工序c中，形成包含Zn、Mg以及Ag的所述电极。

12.根据权利要求11所述的氮化物类半导体发光元件的制造方法，其中，

所述工序c包括：

在所述p型半导体区域的所述表面上形成Zn层的工序；

在所述Zn层上形成Mg层的工序；和

在所述Mg层上形成Ag层的工序。

13.根据权利要求11所述的氮化物类半导体发光元件的制造方法，其中，

所述工序c包括：

在所述p型半导体区域的所述表面上形成Mg层的工序；

在所述Mg层上形成Zn层的工序；和

在所述Zn层上形成Ag层的工序。