[发明专利]三维半导体器件有效
| 申请号： | 201010596401.X | 申请日： | 2010-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102104034A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 沈载株;金汉洙;赵源锡;张在薰;曹雨辰 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L27/115;H01L23/528;H01L21/768;H01L21/8239;G11C7/12;G11C7/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种三维半导体器件。该三维半导体器件可包括：模结构，具有间隙区；以及互连结构，包括设置在间隙区中的多个互连图案。该模结构可包括限定互连图案的上表面和下表面的层间模以及限定低于层间模的互连图案的侧壁的侧壁模。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种三维半导体器件，包含：模结构，具有间隙区；以及互连结构，包括形成在所述间隙区中的多个互连图案，其中，所述模结构包括限定所述互连图案的上表面和下表面的层间模以及在所述层间模下面的限定所述互连图案的侧壁的侧壁模。
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