[发明专利]金属-半导体电极结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201010574581.1 | 申请日： | 2010-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102064189A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 钟海舰;刘争晖;徐耿钊;蔡德敏;张学敏;刘立伟;樊英民;王建峰 | 申请（专利权）人： | 苏州纳维科技有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种金属-半导体电极结构，包括半导体层和金属电极，在半导体层和金属电极之间进一步设置一石墨烯层，以降低金属电极与半导体层之间的接触电阻。本发明的优点在于，通过在金属和半导体层之间插入石墨烯层，改善了金半接触的能带状态，可广泛适用于不同功函数的金属和不同掺杂类型及掺杂浓度的半导体，降低了接触势垒，从而起到降低接触电阻的作用。本发明提供的方法制备简单，性能稳定，重复性好，成本低廉，对于实现各种高性能低成本的微纳半导体电子器件具有重要作用。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 半导体 电极 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属‑半导体电极结构，包括半导体层和金属电极，其特征在于，在半导体层和金属电极之间进一步设置一石墨烯层，以降低金属电极与半导体层之间的接触电阻。
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