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[发明专利]线光斑光源发射装置和设备-CN202210993240.0在审
发明人：周丹丹;种洪涛;樊英民;袁科 -专利权人：西安炬光科技股份有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本申请提供一种线光斑光源发射装置和设备，属于激光器技术领域。所述装置包括多个垂直腔表面发射激光器芯片、电路板，电路板上包括驱动电路；各垂直腔表面发射激光器芯片上包括发光区域；各所述垂直腔表面发射激光器芯片的发光区域包括第一边缘和第二边缘；各所述垂直腔表面发射激光器芯片沿所述发光区域的第一边缘并排排列固定在所述电路板上，各垂直腔表面发射激光器芯片的第一极和第二极分别连接至驱动电路，各垂直腔表面发射激光器芯片通过驱动电路连接，驱动电路驱动各所述垂直腔表面发射激光器芯片发射激光。本申请可以达到在工作环境温度变化范围较大的情况下提高线光斑光源发射装置的可靠性、降低功率衰减的效果。
光斑光源发射装置设备

[实用新型]一种半导体激光器-CN202120878495.3有效
发明人：袁科;樊英民;王警卫;付团伟 -专利权人：西安炬光科技股份有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体激光器，涉及半导体技术领域，包括芯片以及分别设在芯片两侧的正极散热器和负极散热器，正极散热器和负极散热器内均具有散热通道，散热通道内容置有可循环的冷却液。冷却液通过在散热通道内循环流动，吸收芯片产生的热量，与芯片进行热交换，以完成对芯片的散热。这种在芯片两侧均设置散热结构的双面散热方式，其散热效果相较于单面散热，散热能力更强。能有效降低半导体激光器的热阻，提高整体的散热能力，实现半导体激光器高功率激光输出。这种热交换的散热方式，因其能对正极散热器和负极散热器本身进行散热，使半导体激光器不仅可应用于水平阵列，还可应用于垂直阵列，以使半导体激光器的应用具有广泛性。
一种半导体激光器

[实用新型]激光单元及激光模块-CN202020270235.3有效
发明人：侯栋;樊英民;马琛阳 -专利权人：西安域视光电科技有限公司
申请日： 2020-03-07 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本实用新型提供一种激光单元及激光模块，所述激光单元包括：激光芯片、导电衬底、第一金属层、以及绝缘衬底；其中，激光芯片的电极面键合于导电衬底的一端的侧面，所述导电衬底的另一端的端部经第一金属层键合于绝缘衬底的上表面；第一金属层与绝缘衬底两者的宽度之间具有宽度差。基于本实用新型提供的激光单元及激光模块，能够有效地解决现有技术中存在的芯片损伤、生产工艺复杂以及散热效果差的技术问题，结构简单、生产良率高，具有优异的市场前景。
激光单元模块

[实用新型]一种急倾斜煤层机械化采煤装置-CN201922142614.4有效
发明人： 樊英民 -专利权人： 樊英民
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： E21C41/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及煤矿开采设备技术领域，且公开了一种急倾斜煤层机械化采煤装置，包括保护罩，所述保护罩的顶部内壁分别与两组隔板的顶部固定连接，两组所述隔板的左侧设置有开采电机，所述开采电机的底部与保护罩的底部内壁螺接，所述开采电机的输出端与转轴的右端固定连接，所述转轴的左端穿过两组隔板并与轴承座的中部卡接，所述轴承座的左侧与保护罩的左侧内壁螺接。该急倾斜煤层机械化采煤装置，通过保护罩的前侧螺接有两组盖板，两组盖板分别位于开采电机和轴承座的前侧，使得急倾斜煤层机械化采煤装置较易于进行维护，通过滑轨与丝杠和安装杆的配合，使得丝座的左右移动较为平稳，提高了装置使用的稳定性。
一种倾斜煤层机械化采煤装置

[实用新型]热电半导体制冷器-CN201921221493.6有效
发明人：吴的海;付团伟;樊英民;石钟恩;刘兴胜 -专利权人：西安炬光科技股份有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： F25B21/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种热电半导体制冷器，属于半导体制冷技术领域，本热电半导体制冷器包括平行相对的第一基板和第二基板，所述第一基板具有面对所述第二基板的第一平面，所述第二基板具有面对所述第一基板的第二平面，在所述第一基板与所述第二基板之间设置有多个热电偶，所述热电偶连通所述第一平面和所述第二平面以形成具有电流通路的功能区，在所述第一基板和/或所述第二基板还形成有非功能区。通过在第一基板和第二基板设有不能形成电流通路的非功能区，以减小热电半导体制冷器所受的封装热应力，有效提高热电半导体制冷器在使用过程的可靠性。
热电半导体制冷

[实用新型]一种半导体激光器的温控结构以及固体激光器-CN201921513480.6有效
发明人： 樊英民;侯栋;吴的海;高晨;刘兴胜 -专利权人：西安炬光科技股份有限公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体激光器的温控结构，包括用于为半导体激光器供电的驱动电源，以及用于对半导体激光器进行温度控制的TEC；驱动电源被设置为低温下在半导体激光器达到预设温度前提供小于其阈值电流的持续启动电流以及在半导体激光器达到预设温度后切换为大于其阈值电流的工作电流；TEC被设置为自驱动电源向半导体激光器供电起开始工作，用于半导体激光器的控温。本实用新型的半导体激光器系统可以实现低温环境下的正常工作；在维持原有输出特性的前提下，降低了对TEC本身功率能力和体积以及TEC温控器功率的要求，大大加快了半导体激光器的启动时间。
一种半导体激光器温控结构以及固体激光器

[发明专利]激光雷达及信号识别方法-CN201911407157.5在审
发明人： 樊英民;高晨;周丹丹;李勇;刘兴胜 -专利权人：西安炬光科技股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G01S7/481 文献下载
摘要：本发明提供一种激光雷达及信号识别方法，包括发射单元，所述发射单元包括被动调Q固体激光器，其中，设置所述被动调Q固体激光器的脉冲驱动信号，实现单个周期内多激光脉冲输出；所述多脉冲的数量为至少两个，利用所述多脉冲输出特性识别所述激光雷达发射的信号。基于本发明提供的方案，能够实现多脉冲输出，并基于此多脉冲输出特性进行激光雷达信号识别。
激光雷达信号识别方法

[发明专利]一种半导体激光器的温控方法、结构以及固体激光器-CN201910861151.9在审
发明人： 樊英民;侯栋;吴的海;高晨;刘兴胜 -专利权人：西安炬光科技股份有限公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体激光器的温控方法以及结构，在低温下同时采用驱动电源和TEC对半导体激光器进行温度控制，实现低温环境的快速启动以及正常工作；在维持原有输出特性的前提下，降低了对TEC本身功率能力和体积以及TEC温控器功率的要求，大大加快了半导体激光器的启动时间。
半导体激光器低温环境功率能力快速启动驱动电源输出特性温控

[实用新型]温度控制组件及具有其的固体激光器-CN201920797903.5有效
发明人： 樊英民;吴的海;石钟恩;刘兴胜 -专利权人：西安炬光科技股份有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01S3/042 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种温度控制组件及具有其的固体激光器，其中，温度控制组件包括控制结构和至少两个TEC，TEC是指热电制冷器，TEC上分别设置有热负载；其中，多个TEC具有至少一个主控TEC，其余为从属TEC，主控TEC直接与控制结构电连接，从属TEC与主控TEC电连接，以使主控TEC在控制结构控制下被动控制从属TEC。本实用新型的技术方案有效地解决了现有技术中半导体致冷器设置为多个时需要设置多个控制器增加了整个设备的复杂程度和控制难度的问题。
主控控制结构从属温度控制组件本实用新型电连接半导体致冷器多个控制器固体激光器热电制冷器被动控制热负载有效地

[发明专利]热电半导体制冷器及热电制冷器模块-CN201910697239.1在审
发明人：吴的海;付团伟;侯栋;王刚;赵彬;樊英民;石钟恩;刘兴胜 -专利权人：西安炬光科技股份有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： F25B21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种热电半导体制冷器及热电制冷器模块，属于半导体制冷技术领域，本热电半导体制冷器包括平行相对的第一基板和第二基板，第一基板具有面对第二基板的第一平面，第二基板具有面对第一基板的第二平面，在第一基板与第二基板之间设置有多个热电偶，热电偶连通所述第一平面和第二平面以形成具有电流通路的功能区，在第一基板和/或第二基板还形成有非功能区。通过在第一基板和第二基板设有不能形成电流通路的非功能区，以减小热电半导体制冷器所受的封装热应力，有效提高热电半导体制冷器在使用过程的可靠性。
第二基板第一基板热电半导体制冷器热电制冷器电流通路非功能区热电偶半导体制冷技术平行相对功能区热应力减小封装连通

[发明专利]一种同时测量表面磁性和表面电势的方法-CN201510561823.6有效
发明人：钟海舰;刘争晖;徐耿钊;樊英民;黄增立;徐科 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： G01Q60/50 文献下载
摘要：本发明提供一种同时测量表面磁性和表面电势的方法，包括如下步骤：（1）磁性原子力显微镜探针以第一本征频率振动，待测样品进行第一次扫描，获得待测样品表面形貌曲线；（2）将磁性原子力显微镜探针抬起预定高度，以第一本征频率振动，将一频率等于磁性原子力显微镜探针的第二本征频率的交流信号与直流偏压施加到磁性原子力显微镜探针上后，按照待测样品表面形貌曲线对待测样品进行第二次扫描；（3）调节直流偏压，若振幅和/或频率信号为零，则磁性原子力显微镜探针与待测样品等电位，输出该直流偏压，获得待测样品表面电势；对磁性原子力显微镜探针第一本征频率处的振幅和/或频率和/或相位信号进行反馈，得到待测样品表面磁畴分布。
一种同时测量表面磁性电势方法

[发明专利]温度控制组件及具有其的固体激光器-CN201910459276.9在审
发明人： 樊英民;吴的海;石钟恩;刘兴胜 -专利权人：西安炬光科技股份有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01S3/042 文献下载
摘要：本发明提供了一种温度控制组件及具有其的固体激光器，其中，温度控制组件包括控制结构和至少两个TEC，TEC是指热电制冷器，TEC上分别设置有热负载；其中，多个TEC具有至少一个主控TEC，其余为从属TEC，主控TEC直接与控制结构电连接，从属TEC与主控TEC电连接，以使主控TEC在控制结构控制下被动控制从属TEC。本发明的技术方案有效地解决了现有技术中半导体致冷器设置为多个时需要设置多个控制器增加了整个设备的复杂程度和控制难度的问题。
主控温度控制组件控制结构从属固体激光器电连接半导体致冷器多个控制器热电制冷器被动控制热负载有效地

[发明专利]泵浦装置及泵浦方法-CN201910366576.2在审
发明人：蔡磊;石钟恩;樊英民;李勇;刘兴胜 -专利权人：西安炬光科技股份有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01S3/094 文献下载
摘要：本发明提供一种泵浦装置及泵浦方法，涉及激光技术领域。该泵浦装置包括：激光光源、激光晶体；激光光源作为泵浦源发射激光，激光经历凸面汇聚再经历凹面发散后，形成准直或类准直的激光进入激光晶体，经过激光晶体后输出泵浦光。进入激光晶体的入射面为准直或类准直的激光可使激光在激光晶体内形成的吸收区域为入口和出口相等的矩形，在所需泵浦能量一定的前提下，准直的激光进入激光晶体可减小激光晶体的体积。
激光晶体激光准直泵浦装置泵浦激光光源激光技术领域输出泵浦吸收区域泵浦源入射面发散凹面减小凸面相等汇聚发射出口

[实用新型]泵浦模块及具有其的固体激光器-CN201821876635.8有效
发明人：石钟恩;樊英民;蔡磊;李勇;刘兴胜 -专利权人：西安炬光科技股份有限公司
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01S3/094 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种泵浦模块及具有其的固体激光器。该泵浦模块包括：泵浦源，泵浦源为两个且并排设置，用于提供第一激光和第二激光；快轴准直元件，设置于泵浦源的出光侧，用于对第一激光和第二激光进行快轴准直；偏振合束元件，设置于快轴准直元件的出光侧，用于使快轴准直后的第一激光与第二激光的偏振方向相互垂直并进行合束以得到第三激光；慢轴准直元件，设置于偏振合束元件的出光侧，用于对第三激光进行慢轴压缩和汇聚以得到激励源。上述泵浦模块一方面可以提高泵浦光束的慢轴方向光束质量，另一方面双泵浦源形成相互备份和高性能余量，避免了单个泵浦源发光点随机失效造成的泵浦源异常或失效，从而能够满足高可靠性使用要求。
激光泵浦源泵浦模块快轴准直元件慢轴偏振固体激光器合束元件本实用新型泵浦光束并排设置方向光束高可靠性相互备份发光点激励源合束双泵准直垂直汇聚压缩

[发明专利]等离激元窄带吸收薄膜-CN201510106462.6有效
发明人：黄增立;王建峰;刘争晖;徐耿钊;钟海舰;樊英民;徐科 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-03-11 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明提供一种等离激元窄带吸收薄膜，包括基底层及设置于所述基底层表面的介质层，还包括设置在所述介质层表面的隔离层及设置在所述隔离层表面的介电颗粒层，所述介电颗粒层由多个介电颗粒按一定周期排列形成。本发明的优点在于：1、相比于金属颗粒中的自由电子的等离激元共振，热损耗能够大大降低。2、能够实现强局域的电磁共振窄波长光吸收，进一步增强电磁波与介电颗粒作用强度，因此可以在不均匀的环境中实现窄波长的强局域共振响应。3、可以调节电磁能量在介质层和介电颗粒的吸收比例，从而降低金属热损耗。
离激元窄带吸收薄膜

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