[发明专利]具有金属栅极的半导体元件及其制作方法无效
| 申请号： | 201010537476.0 | 申请日： | 2010-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102468238A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 谢雅雪;蔡腾群;陈佳禧;张振辉;黄柏诚;许信国 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种具有金属栅极的半导体元件及其制作方法，该金属栅极的半导体元件包含提供基底，该基底上形成有至少一半导体元件与覆盖该半导体元件的接触洞蚀刻停止层与介电层，且该半导体元件至少包含一虚置栅极。进行虚置栅极移除步骤，以于该半导体元件内形成至少一开口，该虚置栅极移除步骤同时移除部分该接触洞蚀刻停止层，使该接触洞蚀刻停止层的顶部低于该半导体元件与该介电层而形成多个凹槽。之后进行凹槽移除步骤，以于该基底上形成约略平坦的介电层表面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 栅极 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有金属栅极的半导体元件的制作方法，包含有：提供基底，该基底上形成有至少一半导体元件与覆盖该半导体元件的接触洞蚀刻停止层与介电层，且该半导体元件至少包含一虚置栅极；进行虚置栅极移除步骤，以于该半导体元件内形成至少一开口，同时移除部分该接触洞蚀刻停止层，使该接触洞蚀刻停止层的顶部低于该半导体元件与该介电层而形成多个凹槽；以及进行凹槽移除步骤，以于该基底上形成平坦的介电层表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
