[发明专利]低压淀积氧化硅工艺方法有效

申请号：	201010504697.8	申请日：	2010-10-12
公开（公告）号：	CN102011105A	公开（公告）日：	2011-04-13
发明（设计）人：	王硕;许忠义	申请（专利权）人：	上海宏力半导体制造有限公司
主分类号：	C23C16/46	分类号：	C23C16/46;C23C16/52;C23C16/40
代理公司：	上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237	代理人：	郑玮
地址：	201203 上海***	国省代码：	上海;31
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摘要：	一种低压淀积氧化硅工艺方法，所述方法包括：固定晶圆，并置入反应腔；向反应腔输送反应气体；调节反应腔加热装置上控温区的上温度点和下控温区的下温度点，所述上温度点和下温度点的调节方式为将上温度点和下温度点同步上调或降低相同的温度；氧化硅膜的分步淀积，所述分步淀积是在反应腔的上温度点下降到下温度点的过程中执行；重复执行分步淀积，完成氧化硅膜淀积。本发明通过调节反应腔的上控温区的上温度点和同步调节下控温区的下温度点，并在上温度点下降到下温度点的过程中，进行氧化硅膜分步淀积，不仅能极大的改善氧化硅膜淀积的均匀度，提高产品品质，而且该工艺方法操作简单，又能满足芯片制造商对不同膜厚的需求。
搜索关键词：	低压氧化工艺方法
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【主权项】：

一种低压淀积氧化硅工艺方法，其特征在于：所述方法包括：固定晶圆，并置入反应腔；向反应腔输送反应气体；调节反应腔加热装置上控温区的上温度点和下控温区的下温度点，所述上温度点和下温度点的调节方式为将上温度点和下温度点同步上调或降低相同的温度；氧化硅膜的分步淀积，所述分步淀积是在反应腔的上温度点下降到下温度点的过程中执行；重复执行分步淀积，完成氧化硅膜淀积。

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摘要：本实用新型涉及镀膜机真空腔体的冷却装置技术领域，特别是涉及一种真空腔体的冷却结构，包括：冷却腔体，直接安装于真空腔体的外壁，用于冷却所述真空腔体，所述冷却腔体具有朝远离所述真空腔体的一侧凹陷的腔壁；以及支撑结构，设置于所述腔壁，用于支撑所述腔壁。通过将所述冷却腔体直接安装于所述真空腔体的外壁，不占用所述真空腔体的内部空间。且通过所述冷却腔体直接对所述真空腔体进行冷却，冷却效果更好。通过所述支撑结构，能够支撑所述冷却腔体的所述腔壁部分，避免由于所述腔壁强度不够而朝所述真空腔体一侧塌陷，提高了所述冷却腔体的使用可靠性。

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摘要：本实用新型涉及太阳能电池制造设备技术领域，尤其涉及一种基片载板及具有该基片载板的MOCVD设备。该基片载板包括第一基板和第二基板，第一基板和第二基板对设的侧边上分别设有插头部和插座部，第一基板和第二基板之间通过插头部和插座部相对的插接组合；基于该基片载板提出了一种MOCVD设备。该基片载板利用拼接结构将多块基板通过拼装连接为一体，可以有效解决大尺寸基片载板加工难度大的问题，在保证载板拼接结构强度的同时，降低加工成本，提高加工效率，有助于提升芯片产能，并且该基片载板的使用强度能够得到有效保证，同时具有较小的变形量，能够很好的应用在MOCVD设备中，从而确保工艺质量满足要求。

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摘要：本发明公开了一种双热源垂直型气氛反应炉，主要由控制器、旋转加热基台、炉膛三部分组成，其用途为加热衬底台在所需反应温度下与加热底台可升华材料产生的气氛发生化学反应生成所需薄膜。本发明采用加热衬底台与加热底台上下面对放置，加热底台上材料受热分解产生的气体密度较小从而向上飘动更易于与加热衬底台上的衬底接触反应；并且衬底所在的加热衬底台是可以调速旋转，所反应制备的薄膜可以更加均匀，同时也能调整与加热底台的距离；本发明采用双热源加热，可以分别调整加热底台的材料升华温度T1与加热衬底台的衬底温度T2，使得气氛反应沉积的加热过程相互之间没有影响。

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发热均匀的MOCVD加热器用加热片-201820780923.7
发明人：陈景升;黎子兰;田青林;黎静;庄军港;张顺 -专利权人：江苏实为半导体科技有限公司
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： C23C16/46
摘要：本实用新型公开了一种发热均匀的MOCVD加热片，包括加热片本体，所述加热片本体包括由外向内设置的多个同心加热环，相邻的同心加热环之间通过相对设置的折弯部连接在一起，且相对设置的折弯部之间形成切口Ⅱ，加热片本体中从外至内任意两个相邻的切口Ⅱ皆错开设置，且每个切口Ⅱ中设有一绝缘限位体。本实用新型由外至内相邻的切口Ⅱ皆错开设置，邻近的同心加热环可以为切口Ⅱ处加热，提高了整个加热片本体的温度均匀一致性，从而避免了不均匀变形，且每个切口Ⅱ中设有的绝缘限位体保证了切口Ⅱ尺寸的稳定，避免了相对的折弯部接触短路；由于加热片本体各部分温度均匀，通电电流能够保持稳定，旋转的石墨盘受热也更均匀，石墨盘上的晶元可以均匀生长。

一种改善化学气相沉积加热均匀度的装置-201821062863.1
发明人：陈焕榕;苏育生 -专利权人：福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： C23C16/46
摘要：本实用新型公开一种改善化学气相沉积加热均匀度的装置，包括放置台、限位卡板、沉积机构和升降加热机构；限位卡板的板面上设置有限位槽孔，放置台的侧壁设置有取放槽道。本技术方案将晶圆通过取放槽道放置于限位槽孔上，此时升降加热机构对限位槽孔上的晶圆进行加热处理，在达到预设定的温度时，再通过沉积机构将导入的化学气体在晶圆上沉积，在沉积结束后，再通过取放槽道将晶圆取出，完成对晶圆的气相沉积。由于限位槽孔可以将晶圆限制放置，因此晶圆不会发生偏移的状况，因此通过正下方的升降加热机构对晶圆进行全方位的加热，加上升降加热机构的加热面积与晶圆相近，所以可以达到对晶圆均匀加热的目的，继而使得在沉积时晶圆的品质较高。

运行稳定的MOCVD加热器-201820541091.3
发明人：陈景升;黎子兰;田青林;王峰;黎静;张顺 -专利权人：江苏实为半导体科技有限公司
申请日： 2018-04-15 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： C23C16/46
摘要：本实用新型公开了一种运行稳定的MOCVD加热器，所述上基板表面垂直穿设有多个连接传导杆，各个连接传导杆底端皆固定在下基板上，顶端皆安装有传导支架，所述传导支架穿过隔热板、且顶端支撑有加热部件，所述隔热板通过多个紧固组件与上基板和固定板固定在一起。本实用新型设计结构简易，经实际生产检验相较于传统的加热器加热效率提升了60％；隔热板通过多个新型的紧固组件固定在加热器上，避免了下隔离陶瓷环和上隔离陶瓷环意外受到大的预紧力出现裂痕，进一步避免了受热时破裂失效，保证了设备的整体正常运行，延长了各部件的使用寿命，从而实现了连续生产，有效提升了晶元产品的良品率；随着维护频率的降低也降低了维护成本，减少了维护工作量。

薄膜沉积方法及炉管装置-201810920325.X
发明人：陈伯廷;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： C23C16/46
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种薄膜沉积方法及炉管装置。所述薄膜沉积方法，包括如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆位于持续喷射反应气体的晶舟内；对所述晶圆加热，以形成第一膜层于所述晶圆表面，所述第一膜层的厚度沿所述晶圆中心指向边缘的方向逐渐增大；对所述晶圆降温，以形成沿所述晶圆轴向方向层叠于所述第一膜层表面的第二膜层，所述第二膜层的厚度沿所述晶圆中心指向边缘的方向逐渐减小。本发明沉积于晶圆表面的薄膜的厚度分布更加均匀，确保了晶圆产品的良率。

专利分类

C 化学；冶金

C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的

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[发明专利]低压淀积氧化硅工艺方法有效

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