[发明专利]接合线与半导体芯片之间具有接合连接的功率半导体装置有效
| 申请号： | 201010501846.5 | 申请日： | 2010-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102034776A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | T·古特;R·罗特;D·西佩 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/49 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 胡莉莉;卢江 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： |
本发明涉及接合线与半导体芯片之间具有接合连接的功率半导体装置。本发明涉及在接合线(9)和功率半导体芯片(10)之间的接合连接。功率半导体芯片(10)具有半导体本体(1)，在该半导体本体(1)中布置带有在横向方向(r)上相继地布置并且电并联连接的多个单元(15)的有源单元区域(12)。半导体本体(1)具有在垂直于横向方向(r)的垂直方向(v)上布置在有源单元区域(12)之上的表面区段(11′)。金属化层(20)被涂敷到表面区段(11′)上，接合线(9)被接合到金属化层(20)上。接合线(9)由包含重量百分比为至少99的铝(91)以及至少一个其它的合金成分(92)的合金制成。铝(91)具有平均颗粒大小( |
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| 搜索关键词： | 接合 半导体 芯片 之间 具有 连接 功率 装置 | ||
【主权项】：
一种在接合线和功率半导体芯片之间具有接合连接的功率半导体装置，其包括带有半导体本体(1)的功率半导体芯片(10)，在所述半导体本体(1)中布置带有多个单元(15)的有源单元区域(12)，所述单元(15)在横向方向(r)上相继地被布置并且电并联连接，其中‑所述半导体本体(1)具有表面区段(11′)，所述表面区段(11′)在垂直于横向方向(r)的垂直方向(v)上被布置在有源单元区域(12)之上；‑金属化层(20)被涂敷到所述表面区段(11′)上，接合线(9)被接合到所述金属化层(20)上；‑接合线(9)由合金制成，所述合金包含重量百分比为至少99的铝(91)以及至少一个其它的合金成分(92)；‑铝(91)具有平均颗粒大小()小于2μm的颗粒结构。
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