[发明专利]一种集成电路金属冗余填充物耦合电容的测试结构和方法

摘要

本发明涉及一种对集成电路金属冗余填充物耦合电容的测试结构和方法。在集成电路制造过程中，为改善平坦化效果往往会在版图中进行冗余金属填充，而冗余金属对耦合电容存在着很大影响。在兼顾到这一点的情况下，本发明提供了一种集成电路金属冗余填充物耦合电容的测试结构和应用该测试结构的测试方法。所述测试结构包括由介质、待测铜线阵列、外围引线、测试引脚组成的测试金属层，通过在耦合电容实测结构中加入了为改善CMP效果而设计的金属冗余填充物，同时通过选取合适的测试结构尺寸和设计特殊的引脚引线结构，不但能有效完成含有金属冗余填充物的多层测试结构耦合电容的测量，而且可以就不同类型金属冗余填充结构对耦合电容的影响进行比较，同时该版图结构也可以简化多层互连线的测量。

主权项

一种集成电路金属冗余填充物耦合电容的测试结构，其特征在于：该测试结构包括由介质、待测铜线阵列、外围引线、测试引脚组成的测试金属层，其中：待测铜线阵列设置于介质上，包括若干彼此平行的待测铜线，其中奇数列的待测铜线通过引线相连形成梳状的第一待测铜线组，偶数列的待测铜线通过引线相连形成梳状的第二待测铜线组；相邻的待测铜线中间可加入金属冗余填充物；通过所述外围引线将待测铜线阵列中的第一、第二待测铜线组分别与测试引脚相连接；通过所述测试引脚连接耦合电容测量设备，从而测量第一、第二待测铜线组之间的耦合电容。