[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体存储器件及其制造方法。在使用4个MOS晶体管所构成的静态型存储器单元中，构成存储器单元的晶体管形成于衬底上，具有漏极、栅极、源极配置于垂直方向，而栅极包围柱状半导体层的构造。在此存储器单元中，发挥作为第1存储节点(第2存储节点)的功能的各个第1扩散层(第2扩散层)，经由形成于这些表面的第1硅化物层(第2硅化物层)而连接。借此，实现较小面积的静态随机存取存储器单元。此外，在形成于衬底上的第1阱、与具有与该第1阱相同的导电型的第1扩散层(第2扩散层)之间，形成有具有与第1阱相反的导电型的第1泄漏防止扩散层(第2泄漏防止扩散层)，借此抑制朝衬底的泄漏。

主权项

一种半导体存储器件，其特征在于，具备于衬底上排列有4个MOS晶体管的静态型存储器单元；所述4个MOS晶体管各自为：源极扩散层、漏极扩散层及柱状半导体层在衬底上朝垂直方向阶层式配置，所述柱状半导体层配置于所述源极扩散层与所述漏极扩散层之间，而在所述柱状半导体层的侧壁形成有栅极电极；发挥作为第1及第2PMOS存取晶体管、及第1及第2NMOS驱动器晶体管的功能，该第1及第2PMOS存取晶体管供给电荷用以保持存储器单元数据，并且用以存取存储器，该第1及第2NMOS驱动器晶体管驱动存储节点以读取存储器单元的数据；所述第1PMOS存取晶体管及所述第1NMOS驱动器晶体管彼此邻接排列；所述第2PMOS存取晶体管及所述第2NMOS驱动器晶体管彼此邻接排列；在所述衬底，于用以供给电位至该衬底的多个存储器单元形成有共通的第1阱；在所述第1PMOS存取晶体管的底部所形成的第1P型扩散层及在所述第1NMOS驱动器晶体管的底部所形成的第1N型扩散层，经由形成于各自表面的第1硅化物层而彼此连接；所述彼此连接的第1P型扩散层及第1N型扩散层发挥作为用以保持存储于存储器单元的数据的第1存储节点的功能；在所述第1N型扩散层或第1P型扩散层与所述第1阱之间形成有具有与所述第1阱相反的导电型的第1泄漏防止扩散层，以防止所述第1N型扩散层或第1P型扩散层与所述第1阱间的泄漏；所述第1泄漏防止扩散层与所述第1P型扩散层或第1N型扩散层直接连接；在所述第2PMOS存取晶体管的底部所形成的第2P型扩散层及在所述第2NMOS驱动器晶体管的底部所形成的第2N型扩散层，经由形成于各自表面的第2硅化物层而彼此连接；所述彼此连接的第2P型扩散层及第2N型扩散层发挥作为用以保持存储于存储器单元的数据的第2存储节点的功能；在所述第2N型扩散层或第2P型扩散层与所述第1阱之间形成有具有与所述第1阱相反的导电型的第2泄漏防止扩散层，以防止所述第2N型扩散层或第2P型扩散层与所述第1阱间的泄漏；所述第2泄漏防止扩散层与所述第2P型扩散层或第2N型扩散层直接连接。