[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，其特征在于，具备于衬底上排列有4个MOS晶体管的静态型存储器单元；

所述4个MOS晶体管各自为：

源极扩散层、漏极扩散层及柱状半导体层在衬底上朝垂直方向阶层式配置，所述柱状半导体层配置于所述源极扩散层与所述漏极扩散层之间，而在所述柱状半导体层的侧壁形成有栅极电极；

发挥作为第1及第2PMOS存取晶体管、及第1及第2NMOS驱动器晶体管的功能，该第1及第2PMOS存取晶体管供给电荷用以保持存储器单元数据，并且用以存取存储器，该第1及第2NMOS驱动器晶体管驱动存储节点以读取存储器单元的数据；

所述第1PMOS存取晶体管及所述第1NMOS驱动器晶体管彼此邻接排列；

所述第2PMOS存取晶体管及所述第2NMOS驱动器晶体管彼此邻接排列；

在所述衬底，于用以供给电位至该衬底的多个存储器单元形成有共通的第1阱；

在所述第1PMOS存取晶体管的底部所形成的第1P型扩散层及在所述第1NMOS驱动器晶体管的底部所形成的第1N型扩散层，经由形成于各自表面的第1硅化物层而彼此连接；

所述彼此连接的第1P型扩散层及第1N型扩散层发挥作为用以保持存储于存储器单元的数据的第1存储节点的功能；

在所述第1N型扩散层或第1P型扩散层与所述第1阱之间形成有具有与所述第1阱相反的导电型的第1泄漏防止扩散层，以防止所述第1N型扩散层或第1P型扩散层与所述第1阱间的泄漏；

所述第1泄漏防止扩散层与所述第1P型扩散层或第1N型扩散层直接连接；

在所述第2PMOS存取晶体管的底部所形成的第2P型扩散层及在所述第2NMOS驱动器晶体管的底部所形成的第2N型扩散层，经由形成于各自表面的第2硅化物层而彼此连接；

所述彼此连接的第2P型扩散层及第2N型扩散层发挥作为用以保持存储于存储器单元的数据的第2存储节点的功能；

在所述第2N型扩散层或第2P型扩散层与所述第1阱之间形成有具有与所述第1阱相反的导电型的第2泄漏防止扩散层，以防止所述第2N型扩散层或第2P型扩散层与所述第1阱间的泄漏；

所述第2泄漏防止扩散层与所述第2P型扩散层或第2N型扩散层直接连接。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，所述第1泄漏防止扩散层形成于所述第1N型扩散层与所述第1阱之间，并且与所述第1P型扩散层直接连接，以防止所述第1N型扩散层与所述第1阱间的泄漏；

所述第2泄漏防止扩散层形成于所述第2N型扩散层与所述第1阱之间，并且与所述第2P型扩散层直接连接，以防止所述第2N型扩散层与所述第1阱间的泄漏。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，所述第1泄漏防止扩散层形成于所述第1P型扩散层与所述第1阱之间，并且与所述第1N型扩散层直接连接，以防止所述第1P型扩散层与所述第1阱间的泄漏；

所述第2泄漏防止扩散层形成于所述第2P型扩散层与所述第1阱之间，并且与所述第2N型扩散层直接连接，以防止所述第2P型扩散层与所述第1阱间的泄漏。

4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的半导体存储器件，其特征在于，将在从所述第1及第2PMOS存取晶体管的栅极电极延伸的栅极配线上所形成的接触窗的至少一接触窗，与在从邻接的存储器单元的PMOS存取晶体管的栅极电极延伸的栅极配线上所形成的接触窗共通化。

5.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的半导体存储器件，其特征在于，在从发挥作为所述第1存储节点的功能的所述第1扩散层上所形成的所述第1NMOS驱动器晶体管的栅极延伸的栅极配线，通过与发挥作为所述第2存储节点的功能的所述第2扩散层共通的接触窗连接；

在从发挥作为所述第2存储节点的功能的所述第2扩散层上所形成的所述第2NMOS驱动器晶体管的栅极延伸的栅极配线，通过与发挥作为所述第1存储节点的功能的所述第1扩散层共通的接触窗连接。

6.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的半导体存储器件，其特征在于，形成所述第1及第2NMOS驱动器晶体管的柱状半导体层的侧壁周围长度，具有形成所述第1及第2PMOS存取晶体管的柱状半导体层的侧壁周围长度以上的值；

或形成所述第1及第2NMOS驱动器晶体管的柱状半导体层的侧壁周围长度，具有形成所述第1及第2PMOS存取晶体管的柱状半导体层的侧壁周围长度以下的值。