[发明专利]III族氮化物半导体自立基板及其制造方法、III族氮化物半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201010226869.X | 申请日： | 2010-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN101949058A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 藤仓序章;江利健 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/38;H01L33/32;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明为III族氮化物半导体自立基板及其制造方法、III族氮化物半导体装置及其制造方法。所述III族氮化物半导体自立基板的制造方法可不实施球面研磨等，再现性良好地使自立基板表面的单一结晶面的面积增大。本发明的III族氮化物半导体自立基板为，基板表面是刚长成的，所述基板表面的一半以上区域包含具有由III族极性的C面向m轴方向或a轴方向、或者由M面向c轴方向或a轴方向倾斜的偏离角的单一结晶面。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 自立 及其 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物半导体自立基板，其特征在于，基板表面是刚长成的，所述基板表面的一半以上区域包含单一结晶面，所述单一结晶面具有由III族极性的C面向m轴方向或a轴方向、或者由M面向c轴方向或a轴方向倾斜的偏离角。
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