[发明专利]III族氮化物半导体自立基板及其制造方法、III族氮化物半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种III族氮化物半导体自立基板，其特征在于，基板表面是刚长成的，所述基板表面的一半以上区域包含单一结晶面，所述单一结晶面具有由III族极性的C面向m轴方向或a轴方向、或者由M面向c轴方向或a轴方向倾斜的偏离角。

2.一种III族氮化物半导体装置，其特征在于，在权利要求1所述的III族氮化物半导体自立基板上具有III族氮化物半导体层。

3.一种III族氮化物半导体自立基板的制造方法，其是在种结晶基板的表面利用气相生长法形成III族氮化物半导体后，将所述种结晶基板从所述III族氮化物半导体剥离的III族氮化物半导体自立基板的制造方法，

所述种结晶基板为六方晶形或立方晶形的结晶结构，

所述种结晶基板的所述表面为所述六方晶形时，由C面向m轴方向或a轴方向或者由M面向c轴方向或a轴方向在0.35°～0.8°的范围内倾斜，所述种结晶基板的所述表面为所述立方晶形时，由(111)面向[211]方向或[110]方向在0.35°～0.8°的范围内倾斜，

在生长速度不相对于III族原料的供给量的变化而进行线性变化的条件下，实施III族氮化物半导体的生长。

4.一种III族氮化物半导体装置的制造方法，其特征在于，通过权利要求3所述的制造方法来制造III族氮化物半导体自立基板，通过外延生长在所述III族氮化物半导体自立基板上形成III族氮化物半导体层。

5.一种III族氮化物半导体装置，其特征在于，通过权利要求4所述的制造方法来制造，

所述III族氮化物半导体自立基板的生长所述III族氮化物半导体层的表面的一半以上区域包含单一结晶面，所述单一结晶面具有由III族极性的C面向m轴方向或a轴方向、或者由M面向c轴方向或a轴方向倾斜的偏离角。