[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 201010217966.2 | 申请日： | 2010-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN102299135A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 许丹 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构，包括：半导体基底，所述半导体基底表面具有金属层；在所述半导体基底上具有覆盖所述金属层的介质层，在所述介质层中具有暴露所述金属层的接触孔，所述接触孔内填充有导电介质；所述接触孔的侧壁上距离所述金属层一定距离处具有凸起。本发明减少了半导体结构发生断路的可能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：半导体基底，所述半导体基底表面具有金属层；在所述半导体基底上具有覆盖所述金属层的介质层；在所述介质层中具有暴露所述金属层的接触孔，所述接触孔内填充有导电介质；其特征在于，所述接触孔的侧壁上距离所述金属层一定距离处具有凸起。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010217966.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型饮水机结构
- 下一篇：具有触觉反馈的电子装置
