[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：半导体基底，所述半导体基底表面具有金属层；在所述半导体基底上具有覆盖所述金属层的介质层；在所述介质层中具有暴露所述金属层的接触孔，所述接触孔内填充有导电介质；

其特征在于，

所述接触孔的侧壁上距离所述金属层一定距离处具有凸起。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层至少包括第一介质层和第二介质层，所述第一介质层位于所述第二介质层和所述半导体基底之间。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述凸起位于接触孔侧壁的所述第二介质层位置。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层还包括第三介质层，所述第一介质层、第二介质层和第三介质层依次层叠排列。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述凸起位于接触孔侧壁的所述第二介质层位置或第三介质层位置。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第三介质层和第一介质层为同种材料。

7.根据权利要求1或6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介质层的材料为二氧化硅；所述第二介质层的材料为掺杂硼磷的二氧化硅、掺杂硼的二氧化硅、掺杂磷的二氧化硅或其任意组合。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导电介质的材料选自铝、银、铬、钼、镍、钯、铂、钛、钽或者铜，或者选自铝、银、铬、钼、镍、钯、铂、钛、钽或者铜的合金。