[发明专利]发光二极管封装及其制作方法有效
申请号: | 201010165571.2 | 申请日: | 2010-04-16 |
公开(公告)号: | CN102136431A | 公开(公告)日: | 2011-07-27 |
发明(设计)人: | 倪君耀;蔡志嘉;邹文杰 | 申请(专利权)人: | 亿光电子工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/78;H01L33/48;H01L33/62;H01L25/13 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 任永武 |
地址: | 中国台湾台北县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明揭露一种发光二极管封装及其制作方法。该发光二极管封装包括一第一导线及自该第一导线的侧向延伸的一绝缘层,而一第二导线设置于该绝缘层上并延伸于该绝缘层的上表面及下表面上,其中该第二导线与该第一导线电性分离。一发光二极管则设置第一导线上,该发光二极管的一第一电极与该第一导线电性连接,且该发光二极管的一第二电极与该第二导线电性连接。一封胶层封装该发光二极管。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种发光二极管封装的制作方法,包括:提供一基板,该基板包括一绝缘基材及设置于该绝缘基材上的一上导电层及一下导电层,该基板上包括有多个元件区;图案化各该元件区中的该上导电层及该下导电层,以形成电性分离的一第一导线区及一第二导线区,并于各该第一导线区的该上导电层内分别形成一开口,其中这些开口部分暴露出该绝缘基材;去除位于各该第一导线区中暴露的该绝缘基材而形成一凹槽;电性连接各该第一导线区的该图案化上导电层及该图案化下导电层以形成一第一导线;电性连接各该第二导线区的该图案化上导电层及该图案化下导电层以形成一第二导线;将多个发光二极管分别设置于各该凹槽内,并使各该发光二极管的一第一电极与各该第一导线电性连接,以及使各该发光二极管的一第二电极与各该第二导线电性连接;在该基板上形成一封胶层封装这些发光二极管;以及切割该基板,而形成多个发光二极管封装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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