[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201010132525.2 | 申请日： | 2010-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN101834205A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 青木宏宪;金子修一 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/36;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：具有第1导电型的外延层、在外延层上邻接而形成的且具有第1导电型和相反的第2导电型的基底层、在基底层上选择地形成的具有第1导电型的源层、贯通基底层和所述源层且到达外延层的沟道、沿着沟道的内壁而形成的绝缘膜、在沟道的内部隔着绝缘膜而形成的控制电极以及在外延层中沿着沟道的底部而形成的第1导电型的半导体区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：具有第1导电型的外延层；在所述外延层上邻接而形成的且具有和第1导电型相反的第2导电型的基底层；在所述基底层上选择地形成的具有所述第1导电型的源层；贯通所述基底层和所述源层且到达所述外延层的沟道；沿着所述沟道的内壁而形成的绝缘膜；隔着所述绝缘膜在所述沟道的内部形成的控制电极；和在所述外延层中沿着所述沟道的底部而形成的所述第1导电型的半导体区域。
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