[发明专利]一种指数掺杂的GaAs肖特基变容二极管及其制作方法无效
| 申请号： | 201010132087.X | 申请日： | 2010-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN102201455A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 田超;杨浩;董军荣;黄杰;张海英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/93 | 分类号： | H01L29/93;H01L29/36;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及到微波技术领域，公开了一种指数掺杂的GaAs肖特基变容二极管，该二极管包括：半导体绝缘GaAs衬底；在半导体绝缘GaAs衬底上外延生长的重掺杂的N+层；在N+层上外延生长的掺杂浓度呈指数分布的N型层；在指数掺杂的N型层上蒸发肖特基接触的上电极；在N+层上蒸发金属形成欧姆接触的下电极。本发明同时公开了一种指数掺杂的GaAs肖特基变容二极管的制作方法。利用本发明可以在不改变传统肖特基二极管结构的前提下改变N型层掺杂浓度，提高GaAs肖特基变容二极管变容比，增强非线性，可用于周期性的非线性传输线中，从而提高毫米波，亚毫米波范围内倍频电路的工作频率和输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 指数 掺杂 gaas 肖特基 变容二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种指数掺杂的GaAs肖特基变容二极管，其特征在于，包括：用于支撑整个GaAs肖特基变容二极管的半导体绝缘GaAs衬底；在半导体绝缘GaAs衬底上外延生长的重掺杂的N+层；在N+层上继续外延生长的指数掺杂的N型层；经过挖岛，隔离两个工艺步骤，在N型层、N+层上形成的台面结构；在N型层上蒸发金属形成的肖特基接触的上电极；以及在N+层上蒸发金属形成的欧姆接触的下电极。
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