[发明专利]制作半导体互连结构的方法无效
| 申请号： | 201010110529.0 | 申请日： | 2010-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN102148190A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 孙武 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作半导体互连结构的方法，包括如下步骤：获得用于半导体互连结构的中间结构，所述中间结构至少包括由低k材料和/或超低k材料构成的介电层，蚀刻至所述介电层中的沟槽，以及至少一种光阻材料；对所述中间结构施加HMDS处理；以及利用等离子体方法去除所述中间结构中的光阻材料。本发明还提供了通过上述方法获得的半导体结构、半导体器件，以及包含这样的半导体器件的电子设备。利用本发明的半导体互连结构制作方法，能够减少并修复传统工艺中对超低k值介电层带来的破坏，获得性能更加优异的互连结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 半导体 互连 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体互连结构的方法，包括如下步骤：获得用于半导体互连结构的中间结构，所述中间结构至少包括由低k材料和/或超低k材料构成的介电层，蚀刻至所述介电层中的沟槽，以及至少一种光阻材料；对所述中间结构施加HMDS处理；以及利用等离子体方法去除所述中间结构中的光阻材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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