[发明专利]制作半导体互连结构的方法无效
| 申请号： | 201010110529.0 | 申请日： | 2010-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN102148190A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 孙武 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制作 半导体 互连 结构 方法 | ||
1.一种制作半导体互连结构的方法，包括如下步骤：
获得用于半导体互连结构的中间结构，所述中间结构至少包括由低k材料和/或超低k材料构成的介电层，蚀刻至所述介电层中的沟槽，以及至少一种光阻材料；
对所述中间结构施加HMDS处理；以及
利用等离子体方法去除所述中间结构中的光阻材料。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述互连结构为铜互连结构。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一种光阻材料包括底部抗反射涂层和/或光刻胶。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低k材料和所述超低k材料选自黑钻材料、氮掺杂碳化物、k值为2.5-2.9的硅酸盐化合物、k值为2.2的甲基硅酸盐化合物、k值为2.8的HOSPTM以及k值为2.65的SiLKTM。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述施加HMDS处理的步骤包括：将雾状HMDS喷向所述中间结构的表面。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述雾状HMDS为饱和HMDS蒸汽气氛。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述施加HMDS处理的步骤包括：在约125℃下将雾状HMDS喷向所述中间结构，持续约60s。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用等离子体方法去除中间结构中的光阻材料的步骤包括利用O2，CO2，N2等离子体中的至少一种去除光阻材料。
9.一种半导体器件，包含根据权利要求1-8中任一项获得的半导体互连结构。
10.一种包含如权利要求9所述的半导体器件的集成电路，其中所述集成电路选自随机存取存储器、动态随机存取存储器、同步随机存取存储器、静态随机存取存储器、只读存储器、可编程逻辑阵列、专用集成电路和掩埋式DRAM、射频器件。
11.一种包含如权利要求9所述的半导体器件的电子设备，其中所述电子设备选自个人计算机、便携式计算机、游戏机、蜂窝式电话、个人数字助理、摄像机和数码相机。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
