[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201010108455.7 | 申请日： | 2010-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN102024850A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 麦西亚斯·派斯雷克 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，该晶体管包括：一半导体基底；一沟道层，设置在该基底的顶表面上；一栅极介电层，插入一栅电极与该沟道层之间；以及介电延伸层，设置在该沟道层的顶部上，并插入该栅电极与欧姆接触之间；其中该栅极介电层包括一第一材料，该第一材料与该沟道层的顶表面形成一低缺陷的界面；以及其中该介电延伸层包括一不同于该第一材料的第二材料，该第二材料与该沟道层形成一导电表面沟道。本发明能够使III-V族MOSFET在导通状态时具有低的寄生导通电阻与高的跨导，且在关闭状态时具有低的次临界摆幅。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：一半导体基底；一沟道层，设置在该基底的顶表面上；一栅极介电层，插入一栅电极与该沟道层之间；以及介电延伸层，设置在该沟道层的顶部上，并插入该栅电极与欧姆接触之间；其中该栅极介电层包括一第一材料，该第一材料与该沟道层的顶表面形成一低缺陷率的界面；以及其中该介电延伸层包括一不同于该第一材料的第二材料，该第二材料与该沟道层形成一导电表面沟道。
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