[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201010108455.7 | 申请日： | 2010-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN102024850A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 麦西亚斯·派斯雷克 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：
一半导体基底；
一沟道层，设置在该基底的顶表面上；
一栅极介电层，插入一栅电极与该沟道层之间；以及
介电延伸层，设置在该沟道层的顶部上，并插入该栅电极与欧姆接触之间；
其中该栅极介电层包括一第一材料，该第一材料与该沟道层的顶表面形成一低缺陷率的界面；以及
其中该介电延伸层包括一不同于该第一材料的第二材料，该第二材料与该沟道层形成一导电表面沟道。
2.如权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其中该沟道层包括InGaAs、InAs与InAsSb中的其中一个。
3.如权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其中该基底包括一宽能隙半导体材料。
4.如权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其中该栅极介电层包括一氧化物。
5.如权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，还包括一隔离区域，沿着该半导体基底的边缘设置。
6.一种薄体金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：
一半导体基底；
一沟道层，设置在该基底的顶表面上，该沟道层包括一III-V族半导体；
一栅极介电层，插入一栅电极与该沟道层之间，并沿着该沟道层的前侧与后侧设置；以及
介电延伸层，设置在沟道层的顶部上，并插入该栅电极与欧姆接触之间；
其中该栅极介电层包括一第一材料，该第一材料沿着该沟道层的顶表面、前侧表面与后侧表面而与该沟道层形成一低缺陷率的界面；以及
其中该介电延伸层包括一不同于该第一材料的第二材料，该第二材料与该沟道层形成一导电表面沟道。
7.如权利要求6所述的薄体的金属氧化物半导体场效应晶体管，其中该沟道层包括InGaAs、InAs与InAsSb中的其中一个。
8.如权利要求6所述的薄体金属氧化物半导体场效应晶体管，其中该介电延伸层是借由氧化该半导体基底的表面形成。
9.如权利要求6所述的薄体金属氧化物半导体场效应晶体管，其中该栅极介电层包括一氧化物。
10.如权利要求6所述的薄体金属氧化物半导体场效应晶体管，还包括一隔离区域，沿着该半导体基底的边缘设置。
11.一种包括栅电极位于源极与漏极欧姆接触之间的薄体金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，包括：
在一半导体基底的顶表面上提供一沟道层；
在该栅电极与该沟道层之间提供一栅极介电层；以及
提供介电延伸层，设置在该沟道层的顶部上，并插入该栅电极与欧姆接触之间；
其中该栅极介电层包括第一材料，该第一材料与该沟道层形成一低缺陷率的界面；以及
其中该介电延伸层包括一不同于该第一材料的第二材料，该第二材料与该沟道层形成一导电表面沟道。
12.如权利要求11所述的薄体金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其中该沟道层包括InGaAs、InAs与InAsSb中的其中一个。
13.如权利要求11所述的薄体金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其中该介电延伸层是借由氧化该半导体基底的表面形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010108455.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于CAN、LIN总线的车载网络通讯系统
- 下一篇：电动汽车及其控制系统
- 同类专利
- 专利分类
