[发明专利]包含降低金属柱应力之组构的半导体器件无效
| 申请号： | 200980143787.4 | 申请日： | 2009-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102239555A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | A·普拉茨;F·库亨麦斯特;M·莱尔 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在精密的半导体器件的金属化系统中，可设置金属柱271，以便增进分散施加在其上的任何机械性应力的效率。此目的可通过显着地增加最终钝化层260与金属柱紧密机械性接触的表面积，例如通过设置与金属柱271和最终钝化层260接触的额外应力分布元件272而达成。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 降低 金属 应力 组构 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：金属化系统，系形成在基板上方，该金属化系统包括复数个金属化层及最终接点层，该最终接点层包括接触垫片；最终钝化层，系形成在该最终接点层上方，该最终钝化层包括开口，该开口对准该接触垫片；延伸自该最终钝化层之金属柱，该金属柱系与该接触垫片接触；以及应力分布元件，系形成为与该最终钝化层接触，该应力分布元件系与一部份该金属柱接触，以便增加用于使应力自该金属柱转移至该最终钝化层之有效面积(effective area)。
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