[发明专利]包含降低金属柱应力之组构的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

金属化系统，系形成在基板上方，该金属化系统包括复数个金属化层及最终接点层，该最终接点层包括接触垫片；

最终钝化层，系形成在该最终接点层上方，该最终钝化层包括开口，该开口对准该接触垫片；

延伸自该最终钝化层之金属柱，该金属柱系与该接触垫片接触；以及

应力分布元件，系形成为与该最终钝化层接触，该应力分布元件系与一部份该金属柱接触，以便增加用于使应力自该金属柱转移至该最终钝化层之有效面积(effective area)。

2.如申请专利范围第1项所述之半导体器件，其中，该应力分布元件系形成在该最终钝化层上，以便环绕包围该一部份该金属柱。

3.如申请专利范围第1项所述之半导体器件，其中，该应力分布元件系通过金属所组成。

4.如申请专利范围第1项所述之半导体器件，其中，该应力分布元件系形成在该最终钝化层中。

5.如申请专利范围第4项所述之半导体器件，其中，该应力分布层系形成在该最终钝化层之第一子层(sub-layer)上，且系通过该最终钝化层之第二子层之材料所覆盖。

6.如申请专利范围第4项所述之半导体器件，其中，该最终钝化层包括形成在该接触垫片上之第一子层及形成在该第一子层上之第二子层，且其中，该应力分布元件系镶嵌在该第二子层中。

7.如申请专利范围第1项所述之半导体器件，其中，该金属柱包括铜。

8.如申请专利范围第1项所述之半导体器件，其中，该金属柱的宽度大约为30微米至100微米。

9.如申请专利范围第1项所述之半导体器件，其中，该应力分布区域的宽度大约为50微米至200微米。

10.如申请专利范围第8项所述之半导体器件，其中，该应力分布元件系通过铜所组成。

11.一种方法，包括：

在半导体器件之金属化系统上方形成最终钝化层，该金属化系统包括接触垫片；

在该最终钝化层中形成开口，该开口对准该接触垫片；

以定义该应力分布区域之侧向尺寸之遮罩为基础而形成应力分布区域，该应力分布区域系与该最终钝化层相接触；

在该最终钝化层上方形成沉积遮罩；以及

利用该沉积遮罩形成金属柱，该金属柱系延伸自该应力分布区域。

12.如申请专利范围第11项所述之方法，其中，形成该应力分布区域包括形成该遮罩，以便曝露围绕该开口之该最终钝化层之至少一子层之一部份，并且沉积金属。

13.如申请专利范围第12项所述之方法，复包括移除该遮罩，并且在该最终钝化层之该至少一子层上方形成介电材料。

14.如申请专利范围第13项所述之方法，其中，该介电材料及该至少一子层系通过相同材料所组成。

15.如申请专利范围第11项所述之方法，其中，形成该应力分布区域包括形成该最终钝化层之第一子层，其中，该遮罩系形成在该第一子层上，且其中，该方法复包括在沉积该应力分布区域的该金属之后形成第二子层。

16.如申请专利范围第15项所述之方法，其中，形成该开口包括蚀刻透过该第二子层。

17.如申请专利范围第11项所述之方法，其中，该应力分布区域系通过介电材料所形成。

18.一种形成半导体器件之方法，该方法包括：

在复数个金属化层上方形成最终钝化层；

在该最终钝化层中形成开口，以便曝露一部份接触垫片；

形成延伸自该最终钝化层且连接至该接触垫片之金属柱；以及

控制以下至少一者

该最终钝化层之厚度与该金属柱之直径的比例为大约0.5或更高，以及

该金属柱之该直径与该开口之直径的比例为大约1.5或更高。

19.如申请专利范围第18项所述之方法，其中，该最终钝化层之厚度与该金属柱之直径的该比例系经控制为大约1.0或更高。

20.如申请专利范围第18项所述之方法，其中，该金属柱之该直径与该开口之直径的比例系经控制为大约2.0或更高。