[发明专利]碳化硅半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200980113893.8 | 申请日： | 2009-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN102017159A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 原田真;津守将斗 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/336;H01L29/04;H01L29/12;H01L29/78;H01L29/861 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种具有缺陷密度减少的有源层的碳化硅半导体器件及其制造方法，该有源层形成在由碳化硅制成的衬底上。半导体器件(1)包括：衬底(2)，其由碳化硅制成且相对于面取向{0001}具有不小于50°且不大于65°的偏离角；缓冲层(21)；以及外延层(3)，p型层(4)和n+区(5、6)中的每个用作有源层。缓冲层(21)由碳化硅制成且形成在衬底(2)上。有源层由碳化硅制成且形成在缓冲层(21)上。微管密度在有源层中比在衬底(2)中低。在有源层中的柏格矢量的方向对应于[0001]的位错的密度比在衬底(2)中的高。在形成缓冲层的步骤(S20)中的膜形成条件是：原料气体的成分和流速被确定成使得在用于形成缓冲层(21)的原料气体中的表示碳原子与硅原子比率的C/Si比率的值小于形成有源层(3-6)的步骤(S30)中的C/Si比率的值。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体器件(1)，包括：衬底(2)，所述衬底由碳化硅制成且具有相对于面取向{0001}不小于50°且不大于65°的偏离角；缓冲层(21)，所述缓冲层由碳化硅制成且形成在所述衬底(2)上；以及有源层(3‑6、22‑25、31‑33)，所述有源层由碳化硅制成且形成在所述缓冲层(21)上，以及在所述有源层(3‑6、22‑25、31‑33)中的微管密度比在所述衬底(2)中的微管密度低，以及就柏格矢量的方向对应于[0001]的位错的密度而言，在所述有源层(3‑6、22‑25、31‑33)中的密度比在所述衬底(2)中的密度高。
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