[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

本发明提出一种半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括：衬底；形成在衬底中的源区和漏区，以及形成在衬底上的栅区，其中，源区和漏区之上分别具有第一接触孔区，第一接触孔区通过第一金属与源区和漏区相连，第一接触孔区之下的第一金属至少有一部分高于第一接触孔区外的第一金属，栅区之上具有第二接触孔区，第二接触孔区通过第二金属与栅区相连，第二接触孔区之下的第二金属或多晶硅至少有一部分高于第二接触孔区外的第二金属或多晶硅。通过本发明，由于源区、漏区和栅区等各个接触孔都采用自对准技术，能够有效缩小半导体结构的面积，从而提高集成电路的集成度，通过本发明可缩小5-20％的芯片面积。

主权项

一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底中的源区和漏区，以及形成在所述衬底上的栅区，其中，所述源区和漏区之上分别具有第一接触孔区，所述第一接触孔区通过第一金属与所述源区和漏区相连，所述第一接触孔区之下的第一金属至少有一部分高于第一接触孔区外的第一金属，所述栅区之上具有第二接触孔区，所述第二接触孔区通过第二金属或多晶硅与所述栅区相连，所述第二接触孔区之下的第二金属或多晶硅至少有一部分高于第二接触孔区外的第二金属或多晶硅。