[发明专利]电子元件封装体及其制造方法有效
| 申请号： | 200910225781.3 | 申请日： | 2009-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102088012A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 倪庆羽;蔡佳伦;林南君;楼百尧;黄耀德;陈伟铭 | 申请（专利权）人： | 精材科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种电子元件封装体及其制造方法，电子元件封装体包括含有多个电子元件芯片的半导体基底，保护层设置于半导体基底之上，具有一开口，导电凸块设置于保护层的开口内，以及应力释放结构设置于保护层内，且围绕导电凸块。电子元件封装体的制造方法包括形成保护层在半导体基底之上，图案化保护层，形成该第一开口及多个第二开口围绕第一开口；以及形成导电凸块在第一开口内，其中该些第二开口形成应力释放结构围绕导电凸块。 | ||
| 搜索关键词： | 电子元件 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电子元件封装体，包括：半导体基底，包含多个电子元件芯片；保护层，设置于该半导体基底之上，具有一第一开口；导电凸块，设置于该保护层的该第一开口内；以及应力释放结构，设置于该保护层内，且围绕该导电凸块。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精材科技股份有限公司，未经精材科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910225781.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：小线宽沟槽式功率MOS晶体管及制造方法
- 下一篇：MOS晶体管的制作方法
