[发明专利]氮化物半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200910204779.8 | 申请日： | 2009-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN101684549A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 大野彰仁;竹见政义 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/455;C30B25/02;C30B29/38;H01S5/323;H01S5/028;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴 娟;孙秀武 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明制造具有p型氮化物半导体层的氮化物半导体装置，所述p型氮化物半导体层的结晶性良好、电阻率足够低、且Mg的掺杂效率大于0.3％。使用有机金属化合物作为III族原料、使用氨和肼衍生物作为V族原料、以及使用Mg原料气体作为p型杂质原料，在GaN基板(10)(基板)上形成p型GaN层(12)(p型氮化物半导体层)。此时，使含有III族原料、V族原料和p型杂质原料的原料气体的流速大于0.2m/秒。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.氮化物半导体装置的制造方法，该方法具备：使用有机金属化合物作为III族原料、使用氨和肼衍生物作为V族原料、以及使用Mg原料气体作为p型杂质原料，于基板上形成p型氮化物半导体层的步骤；上述方法的特征在于：在形成上述p型氮化物半导体层时，使含有上述III族原料、上述V族原料和上述p型杂质原料的原料气体的流速大于0.2m/秒。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
