[发明专利]顶层和次顶层金属均加厚的集成电路制作方法及叠层电感无效

申请号：	200910201908.8	申请日：	2009-12-08
公开（公告）号：	CN102087996A	公开（公告）日：	2011-06-08
发明（设计）人：	邱慈云;徐向明;蔡描;王生荣	申请（专利权）人：	上海华虹NEC电子有限公司
主分类号：	H01L21/77	分类号：	H01L21/77;H01L21/768;H01L27/00;H01L23/528;H01F17/00;H01F41/04
代理公司：	上海浦一知识产权代理有限公司 31211	代理人：	孙大为
地址：	201206 上***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本发明公开了顶层和次顶层金属均加厚的集成电路制作方法及叠层电感；该方法包括：制作多层金属，其中顶层和次顶层金属的厚度均大于2.8微米。本发明通过加厚顶层和次顶层金属的厚度，有效降低了顶层和次顶层金属的电阻率，从而提高了片上电感的Q值。
搜索关键词：	顶层金属加厚集成电路制作方法电感
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【主权项】：

一种顶层和次顶层金属均加厚的集成电路制作方法；其特征在于，包括：制作多层金属，其中顶层和次顶层金属的厚度均大于2.8微米。

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一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置-201310727100.X
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摘要：本发明提供了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，所述方法包括在衬底基板的第一面形成栅线、栅极和覆盖栅线和栅极的栅绝缘层；在栅绝缘层上形成半导体薄膜；利用所述栅极和栅线作为掩膜对所述半导体薄膜进行构图，形成位于所述栅线和栅极所在区域内部的源半导体层；利用所述源半导体层制作目标半导体层。本发明能够避免有源层错位，进而避免由于有源层错位所导致的显示器亮度不均匀的问题。

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摘要：一种以平坦化的单晶硅或多晶硅颗粒阵列形式存在的器件及其制备方法，其中颗粒的平坦表面被用于制备电子器件阵列。这在制造需要单晶高速器件的大显示器时尤其有用。当在平坦的衬底上制备阵列时，器件阵列的平坦表面是共面的。

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申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L21/77
摘要：本发明提供一种阵列基板及其制备方法，显示面板、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的低温多晶硅液晶显示器制作过程中需要的掩膜板多的问题。本发明的阵列基板的制备方法，包括以下步骤采用挡光层‑掺杂复用掩膜板在衬底基板上通过构图工艺形成挡光层；采用挡光层‑掺杂复用掩膜板完成互补金属氧化物半导体晶体管的掺杂。本发明的阵列基板及其制备方法，显示面板、显示装置使用了一个挡光层‑掺杂复用掩膜板代替了现有技术在制备挡光层和掺杂过程中的两个掩膜板，节省制造过程的掩膜板的数量，节省了成本；同时，在阵列基板的驱动区域的N型晶体管下方设置有挡光层能有利避免使导电区产生光漏电。

一种TFT阵列基板及其制作方法、显示面板-201410060827.1
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申请日： 2014-02-24 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L21/77
摘要：本发明公开了一种TFT阵列基板，包括一基板；栅极、栅极线和公共电极线；半导体图形；第一电极和第二电极，所述第二电极不覆盖所述栅极的边缘;连接图形，所述连接图形通过一过孔与所述第二电极电连接。本发明避免了LCD中像素开关TFT失去控制导致显示亮点缺陷的产生，提高了LCD显示画面的质量。

显示装置、阵列基板及其制造方法-201410004069.1
发明人：袁广才 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-01-03 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L21/77
摘要：本发明公开了一种阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置，该阵列基板包括第一薄膜晶体管以及像素电极，其中，第一薄膜晶体管的有源层和源漏电极以及像素电极通过一次构图工艺形成。本发明仅需要通过三道光刻工艺即可制作出性能良好的阵列基板，大大缩短薄膜晶体管的制作周期，提高薄膜晶体管的特性，同时大大提高产品的良率。

显示装置、阵列基板及其制造方法-201410003682.1
发明人：袁广才 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-01-03 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L21/77
摘要：本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置、阵列基板及其制作方法。该阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括第一薄膜晶体管和像素电极，具体包括如下步骤在基板上形成缓冲层的步骤；在完成上述步骤的基板上，沉积有源层薄膜、源漏金属薄膜和透明电极层，通过一次构图工艺形成所述第一薄膜晶体管中有源层和源漏电极的以及像素电极的图形。本发明提供一种显示装置、阵列基板及其制作方法，通过对阵列基板制作工艺流程的调整，可大大缩短薄膜晶体管的制作周期，同时由于经历比较少的工艺步骤，可以很好的提高薄膜晶体管的特性，使得薄膜晶体管的阈值电压不会发生较大的漂移，同时可提高产品的良率，而且使器件的稳定和可靠性更加适合于长时间的使用。

阵列基板的制作方法、阵列基板及液晶显示装置-201410323333.8
发明人：柴立 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L21/77
摘要：本发明提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及液晶显示装置，该阵列基板的制作方法包括在衬底基板上沉积第一金属层，并通过图形化处理形成扫描线；沉积第一绝缘层，并对第一绝缘层进行图形化处理；其中液晶显示面板两侧的阵列基板的第一绝缘层的厚度大于液晶显示面板中间的阵列基板的第一绝缘层的厚度；沉积半导体层以及第二金属层，并通过图形化处理形成数据线以及薄膜场效应晶体管；沉积第二绝缘层，并通过图形化处理形成接触孔；以及沉积透明电极层，并通过图形化处理形成所述像素电极。本发明在不影响液晶显示装置的开口率以及功耗的基础上，解决了显示画面的显示亮度不均的技术问题。

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发明人：郭建 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2014-04-01 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L21/77
摘要：本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置，所述阵列基板的制备方法包括以下步骤S1.在衬底基板上形成包括栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极的图案；S2.在完成步骤S1的衬底基板上形成透明导电层，通过一次构图工艺同时形成包括像素电极和数据线的图案。本发明提供的阵列基板通过一次构图工艺同时形成像素电极和数据线，减少的制造工艺步骤，节省了生产成本，提高了生产效率；进一步，使用石墨烯或纳米银线材料制作透明导电层并形成像素电极和数据线，使像素电极和数据线均具有较低电阻值和较高的光透过率的性能，从而提升了阵列基板的性能。

低温多晶硅阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示面板-201610717847.0
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申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L21/77
摘要：本发明公开了一种低温多晶硅阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示面板，所述制备方法包括：设置一基板，并在所述基板上形成缓冲层；采用气象沉积第一混合气体以及掺杂离子气体的方式，在所述缓冲层上形成掺杂的非晶硅薄膜层；采用气象沉积第二混合气体的方式，对所述非晶硅薄膜层进行去氢；对去氢后的所述非晶硅薄膜层进行退火处理，使参杂离子扩散，以形成多晶硅层；将所述多晶硅层图案化。能够有效降低低温多晶硅阵列基板制造的工艺，较少了制造设备的投入，进一步降低了制备成本。

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发明人：彭宽军;廖峰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
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摘要：本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，通过该阵列基板的制作方法，可以将LTPS TFT的离子活化工艺和Oxide TFT的非晶态转变为微晶态的工艺集成在一起。一种阵列基板的制作方法，该方法包括：形成第一有源层；第一有源层的材料为多晶硅；至少向第一有源层的掺杂区进行离子注入，掺杂区用于与对应的源极和漏极电连接；形成第二有源层；第二有源层的材料为非晶态的金属氧化物；在至少向第一有源层的掺杂区进行离子注入、且在形成第二有源层之后，采用活化工艺，以使得第一有源层中注入的离子活化、第二有源层的材料从非晶态转变为微晶态。本发明适用于阵列基板、以及包括该阵列基板的显示装置的制作。

一种高透过率薄膜晶体管制备方法-201610950927.0
发明人：韩俊号;喻玥;马国永;何方;赵辉 -专利权人：南京华东电子信息科技股份有限公司
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/77
摘要：本发明公开了一种高透过率薄膜晶体管制备方法，包括如下步骤：(1)在玻璃基板上从下至上依次形成第一金属层和第一绝缘层，所述第一金属层包括栅极金属线和存储电容金属线；(2)对第一绝缘层进行半蚀刻；(3)在第一绝缘层上依次形成第二金属层和第二绝缘层，第二金属层包括源极电极和漏极电极。该方法可以减小存储电容的面积，增加透过率。

一种TFT基板-201620823923.1
发明人：黄茜;于春琦;李林;谭晓彬;胡家坚;丁文涛 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2016-08-02 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： H01L21/77
摘要：本实用新型公开了一种TFT基板。该TFT基板包括多个像素单元，每个像素单元包括依次形成在透明基板上的栅金属层、栅绝缘层、半导体层、源/漏金属层、绝缘介质层和像素电极层，数据线与栅电极、栅线设在同一层，通过绝缘介质层的第一过孔和第二过孔以及像素电极层的第一连接线连接数据线和源电极。该TFT基板的制备方法在原来5次光刻工艺的基础上减少2次光刻，简化TFT制备工艺，降低生产成本提高生产效率，工艺步骤越少，产品的良品率越高，品质越容易控制。

一种TFT基板的制作方法-201610794102.4
发明人：徐洪远;苏长义 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H01L21/77
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申请日： 2016-03-15 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L21/77
摘要：一种电子装置包括具有安装面和安装在安装面上的集成电路芯片的支撑板。封装块嵌入集成电路芯片，封装块在支撑板的安装面上延伸在集成电路芯片之上并围绕集成电路芯片。封装组块包括正面，具有穿过封装块以暴露电接触的至少一部分的孔。由导电材料制成的层填充孔以形成至电接触的电连接并且进一步延伸在封装块的正面之上。

柔性衬底基板和柔性OLED显示器的制备方法-201610850542.7
发明人：张成明;邓亮 -专利权人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/77
摘要：一种柔性衬底基板和柔性OLED显示器的制备方法，其中该柔性衬底基板的制备方法包括步骤：提供硬质载体基板；在该硬质载体基板上形成一层有机衬底层，该有机衬底层为图案化结构且包括相互间隔的多个有机衬底图案，每个有机衬底图案对应于一个屏体区域；在该有机衬底层上形成一层无机阻隔层，该无机阻隔层为整面结构且同时覆盖该多个有机衬底图案并包覆每个有机衬底图案的四周侧壁，从而制成柔性衬底基板。在该柔性衬底基板的制备方法中，每个有机衬底图案(对应于每个屏体)的四周侧壁均被无机阻隔层所包覆，大大提升柔性衬底基板的正面和侧面的阻隔水氧能力，有效改善柔性显示屏体侧面的阻隔水氧性能。

一种硅基液晶微显示驱动芯片制备工艺-201510161390.5
发明人：杜寰 -专利权人：杜寰
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/77
摘要：本发明涉及一种硅基液晶微显示驱动芯片制备工艺，其包括：硅衬底及集成电路器件制备；PECVD(等离子增强化学气相淀积)方法生长介质；CMP(化学机械抛光)；铝布线步骤；刻通孔；溅射Ti/TiN和钨，反刻钨，形成钨塞；制备镜面反射电极；制备薄盒，灌装液晶；优选地，所述镜面反射电极采用氧化锌来制作。本发明的方法用氧化锌代替铝制备镜面反射电极，提高了镜面反射电极反射率和抗氧化性。

阵列基板的制作方法及设备-201410338911.5
发明人：黎午升 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/77
摘要：本发明提供了一种阵列基板的制作方法及设备，属于平板显示技术领域。其中，阵列基板的制作方法包括：对基板上将要涂覆不透光感光材料的表面的边缘位置以及对位位置进行疏油处理；在经过疏油处理的基板表面涂覆亲油性的不透光感光材料。本发明的技术方案能够解决在COA工艺中需手动清洗阵列基板上栅金属层的对位标记部分对应的BM材料的问题，进而提高显示面板的产能和良率。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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[发明专利]顶层和次顶层金属均加厚的集成电路制作方法及叠层电感无效

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