[发明专利]切割/芯片接合薄膜无效
| 申请号： | 200910161128.5 | 申请日： | 2009-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN101645426A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 神谷克彦;松村健;村田修平;大竹宏尚 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/48;H01L21/78;H01L21/50;C09J133/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种切割/芯片接合薄膜，即使工件为薄型的情况下，工件切割时的保持力和将通过切割得到的芯片状工件与芯片接合薄膜一体地剥离时的剥离性的平衡特性也优良。一种切割/芯片接合薄膜，具有在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和在该粘合剂层上设置的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层由丙烯酸类聚合物形成，所述丙烯酸类聚合物由CH2＝CHCOOR1表示的丙烯酸酯A、CH2＝CHCOOR2表示的丙烯酸酯B、含羟基单体、和分子内具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物构成，上述式中，R1为碳原子数6～10的烷基，R2为碳原子数11以上的烷基，所述丙烯酸酯A和所述丙烯酸酯B的配合比例是：相对于丙烯酸酯A 60～90摩尔％，丙烯酸酯B为40～10摩尔％，所述含羟基单体的配合比例是：相对于所述丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的总量100摩尔％在10～30摩尔％的范围内，所述异氰酸酯化合物的配合比例是：相对于所述含羟基单体100摩尔％在70～90摩尔％的范围内，所述芯片接合薄膜由环氧树脂形成。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 芯片 接合 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种切割/芯片接合薄膜，具有在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和在该粘合剂层上设置的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层由丙烯酸类聚合物形成，所述丙烯酸类聚合物由CH2＝CHCOOR1表示的丙烯酸酯A、CH2＝CHCOOR2表示的丙烯酸酯B、含羟基单体、和分子内具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物构成，上述式中，R1为碳原子数6～10的烷基，R2为碳原子数11以上的烷基，所述丙烯酸酯A和所述丙烯酸酯B的配合比例是：相对于丙烯酸酯A 60～90摩尔％，丙烯酸酯B为40～10摩尔％，所述含羟基单体的配合比例是：相对于所述丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的总量100摩尔％在10～30摩尔％的范围内，所述异氰酸酯化合物的配合比例是：相对于所述含羟基单体100摩尔％在70～90摩尔％的范围内，所述芯片接合薄膜由环氧树脂形成。
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