[发明专利]切割/芯片接合薄膜无效
| 申请号： | 200910161128.5 | 申请日： | 2009-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN101645426A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 神谷克彦;松村健;村田修平;大竹宏尚 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/48;H01L21/78;H01L21/50;C09J133/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 切割 芯片 接合 薄膜 | ||
1.一种切割/芯片接合薄膜，具有在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和在该粘合剂层上设置的芯片接合薄膜，其特征在于，
所述粘合剂层由丙烯酸类聚合物形成，所述丙烯酸类聚合物由CH2＝CHCOOR1表示的丙烯酸酯A、CH2＝CHCOOR2表示的丙烯酸酯B、含羟基单体、和分子内具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物构成，上述式中，R1为碳原子数6～10的烷基，R2为碳原子数11以上的烷基，
所述丙烯酸酯A和所述丙烯酸酯B的配合比例是：相对于丙烯酸酯A 60～90摩尔％，丙烯酸酯B为40～10摩尔％，
所述含羟基单体的配合比例是：相对于所述丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的总量100摩尔％在10～30摩尔％的范围内，
所述异氰酸酯化合物的配合比例是：相对于所述含羟基单体100摩尔％在70～90摩尔％的范围内，
所述芯片接合薄膜由环氧树脂形成。
2.如权利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述含羟基单体为选自由(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羟基十二烷酯和(甲基)丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯组成的组中的至少任意一种。
3.如权利要求1或2所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物为选自2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯或者2-丙烯酰氧乙基异氰酸酯的至少任意一种。
4.如权利要求1至3中任一项所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述丙烯酸类聚合物的重均分子量在35万～100万的范围内。
5.如权利要求1至4中任一项所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层的紫外线照射前的、23℃下的拉伸弹性模量在0.4～3.5MPa的范围内，紫外线照射后的、23℃下的拉伸弹性模量在7～100MPa的范围内。
6.如权利要求1至5中任一项所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，构成所述粘合剂层的所述丙烯酸类聚合物不含丙烯酸作为单体成分。
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