[发明专利]切割/芯片接合薄膜

说明书

技术领域

本发明涉及将用于固着芯片状工件(半导体芯片等)与电极部件的胶粘剂在切割前粘贴在工件(半导体晶片等)上的状态下用于工件切割的切割/芯片接合薄膜。

背景技术

形成电路图案的半导体晶片(工件)根据需要通过背面研磨调节厚度后，切割为半导体芯片(芯片状工件)(切割工序)。切割工序中，一般是为了除去切断层而在适度的液压(通常是约2kg/cm²)下清洗半导体芯片。然后，利用胶粘剂将所述半导体芯片固着到引线框等被粘物上(安装工序)后，移至接合工序。所述安装工序中，将胶粘剂涂布在引线框或半导体芯片上。但是，该方法中胶粘剂层的均匀化是困难的，另外胶粘剂的涂布需要特殊装置和长时间。因此，提出了在切割工序中保持半导体晶片胶粘的同时在安装工序中也提供必要的芯片固着用胶粘剂层的切割/芯片接合薄膜(例如，参照专利文献1)。

专利文献1中记载的切割/芯片接合薄膜，是在支撑基材上设置能够剥离的胶粘剂层的结构。即，在胶粘剂层的支撑下切割半导体晶片，然后拉伸支撑基材将半导体芯片与胶粘剂层一起剥离，将其分别回收，通过该胶粘剂层固着到引线框等被粘物上。

该种切割/芯片接合薄膜的胶粘剂层，为了不产生不能切割或尺寸错误，希望具有对半导体晶片的良好保持力以及能够将切割后的半导体芯片与胶粘剂层一体地从支撑基材上剥离的良好剥离性。但是，使这两个特性平衡绝不容易。特别是在象利用旋转圆刃等切割半导体晶片的方式等那样要求胶粘剂层具有高保持力的情况下，难以得到满足上述特性的切割/芯片接合薄膜。

因此，为了解决这样的问题，提出了各种改进方法(例如，参照专利文献2)。专利文献2中公开了如下方法：在支撑基材和胶粘剂层之间隔着可紫外线固化的粘合剂层，将其切割后进行紫外线固化，使粘合剂层与胶粘剂层之间的胶粘力下降，从而通过两者间的剥离使半导体芯片的拾取变得容易。

但是，通过该改进方法，有时也难以得到使切割时的保持力和之后的剥离性良好平衡的切割/芯片接合薄膜。例如，在10mm×10mm以上的大型半导体芯片或25～50μm的极薄半导体芯片的情况下，由于其面积大，因此一般的芯片接合机不能容易地拾取半导体芯片。

专利文献1：日本特开昭60-57642号公报

专利文献2：日本特开平2-248064号公报

发明内容

本发明鉴于上述问题而进行，其目的在于提供具有在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和在该粘合剂层上设置的芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜，该切割/芯片接合薄膜即使在半导体晶片为薄型的情况下，切割该薄型工件时的保持力和将通过切割得到的半导体芯片与该芯片接合薄膜一体地剥离时的剥离性之间的平衡特性也优良。

本发明人为了解决上述现有问题，对切割/芯片接合薄膜进行了研究。结果发现，切割薄膜中所含的多官能性单体成分物质扩散至芯片接合薄膜中，由此切割薄膜与芯片接合薄膜的边界面消失，从而拾取性下降，至此完成了本发明。

即，本发明的切割/芯片接合薄膜，为了解决上述问题，其具有在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和在该粘合剂层上设置的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层由丙烯酸类聚合物形成，所述丙烯酸类聚合物由CH₂＝CHCOOR¹(式中，R¹为碳原子数6～10的烷基)表示的丙烯酸酯A、CH₂＝CHCOOR²(式中，R²为碳原子数11以上的烷基)表示的丙烯酸酯B、含羟基单体、和分子内具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物构成，所述丙烯酸酯A和所述丙烯酸酯B的配合比例是：相对于丙烯酸酯A 60～90摩尔％，丙烯酸酯B为40～10摩尔％，所述含羟基单体的配合比例是：相对于所述丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的总量100摩尔％在10～30摩尔％的范围内，所述异氰酸酯化合物的配合比例是：相对于所述含羟基单体100摩尔％在70～90摩尔％的范围内，所述芯片接合薄膜由环氧树脂形成。