[发明专利]电子器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910151811.0 | 申请日： | 2007-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN101604682A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 栗田洋一郎;副岛康志;川野连也 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/31;H01L23/29;H01L21/48;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种电子器件。该电子器件包括第一互连层和第二互连层。该第二互连层配备在该第一互连层的下表面上。该第一互连层包括通路插塞(第一导电插塞)。该第二互连层一侧上的通路插塞的端面小于相对端面。该通路插塞暴露在与该第二互连层相对的第一互连层的表面上。形成该第一互连层的绝缘树脂的热分解温度高于形成该第二互连层的绝缘树脂的热分解温度。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子器件，包括：第一互连层；第二互连层，其配备在所述第一互连层上并具有外部电极端子；以及第一导电插塞，其配备在所述第一互连层中，并且暴露在所述第二互连层侧上的所述第一互连层的表面上；其中形成所述第一互连层的树脂的热分解温度高于形成所述第二互连层的树脂；以及所述第二互连层侧上的所述第一导电插塞的端面的面积大于相对端面的面积。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司，未经恩益禧电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910151811.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：功率放大器输出功率对照表的建立方法
- 下一篇：标记石油产品及其检测方法
