[发明专利]像素结构及其制作方法有效
| 申请号: | 200910150065.3 | 申请日: | 2009-06-30 |
| 公开(公告)号: | CN101582423A | 公开(公告)日: | 2009-11-18 |
| 发明(设计)人: | 郭峻廷;许哲嘉;吕昭良 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/528;H01L21/82;G09F9/00 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 |
| 地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 本发明提供一种像素结构及其制作方法,所述的像素结构包括:基板,第一栅极线,第二栅极线,第一开关元件,第二开关元件,第一像素电极以及第二像素电极。所述的像素结构使用由透明材质构成的像素电极电性连接数据线与相邻次像素区的开关元件的源极,使得多个次像素可共用同一数据线,因此可减少数据线的数目,并增加像素结构的开口率。 | ||
| 搜索关键词: | 像素 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构,其特征在于,所述的像素结构包括:一基板,包括第一次像素区与第二次像素区;第一栅极线,设置于所述第一次像素区与所述第二次像素区的一侧;第二栅极线,设置于所述第一次像素区与所述第二次像素区相对于所述第一栅极线的另一侧;第一开关元件,设置于所述第一次像素区内,所述第一开关元件具有第一栅极、第一源极与第一漏极,且所述第一栅极与所述第一栅极线电性连接;第二开关元件,设置于所述第二次像素区内,所述第二开关元件具有第二栅极、第二源极与第二漏极,且所述第二栅极与所述第二栅极线电性连接;第一像素电极,设置于所述第一次像素区内且与所述第一漏极电性连接,其中所述第二源极通过所述第一像素电极与所述第一漏极电性连接;以及第二像素电极,设置于所述第二次像素区内,且所述第二像素电极与所述第二漏极电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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