[发明专利]像素结构及其制作方法

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，所述的像素结构包括：

一基板，包括第一次像素区与第二次像素区；

第一栅极线，设置于所述第一次像素区与所述第二次像素区的一侧；

第二栅极线，设置于所述第一次像素区与所述第二次像素区相对于所述第一栅极线的另一侧；

第一开关元件，设置于所述第一次像素区内，所述第一开关元件具有第一栅极、第一源极与第一漏极，且所述第一栅极与所述第一栅极线电性连接；

第二开关元件，设置于所述第二次像素区内，所述第二开关元件具有第二栅极、第二源极与第二漏极，且所述第二栅极与所述第二栅极线电性连接；

一数据线，设置于所述第一次像素区的一侧，且所述数据线与所述第一源极电性连接；

第一像素电极，设置于所述第一次像素区内且与所述第一漏极电性连接，其中所述第二源极延伸至所述第一像素电极的下方与之接触，并通过所述第一像素电极与所述第一漏极电性连接，并且所述第二源极经由所述第一像素电极接收数据线所传送的数据信号；以及

第二像素电极，设置于所述第二次像素区内，且所述第二像素电极与所述第二漏极电性连接，所述第二像素电极包括一缺口。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述的像素结构还包括一共通线，设置于所述基板上，其中所述共通线与所述第一像素电极部分重叠而构成第一储存电容，且所述共通线与所述第二像素电极部分重叠而构成第二储存电容。

3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述共通线与所述第一像素电极的重叠面积不同于所述共通线与所述第二像素电极的重叠面积。

4.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述共通线包括第一共通线段，设置于所述第一次像素区与所述第二次像素区之间的所述基板上。

5.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述第一栅极线、所述第二栅极线与所述第一共通线段由第一金属层所构成。

6.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，所述数据线包括第一数据线段，设置于所述第一次像素区的周边、邻近所述第一开关元件并与所述第一栅极线交错，且所述第一数据线段由第二金属层所构成。

7.如权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述共通线包括第二共通线段，设置于所述第一次像素区的周边，所述数据线包括第二数据线段，与所述第一数据线段电性连接，所述第二共通线段由所述第二金属层所构成，所述第二数据线段由所述第一金属层所构成，且所述第二共通线段与所述第二数据线段部分重叠。

8.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述第一栅极线与所述第二栅极线由第一金属层所构成，所述数据线由第二金属层所构成，且所述共通线由第三金属层所形成。

9.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述第一栅极线、所述第二栅极线与所述共通线由第一金属层所构成，而所述数据线由第二金属层所构成。

10.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述的像素结构还包括一间隔物设置于所述基板上。

11.如权利要求10所述的像素结构，其特征在于，所述间隔物对应所述第二像素电极的所述缺口。

12.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述的像素结构还包括包括一间隔物设置于所述共通线之上。

13.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述的像素结构还包括第一延伸部与第二延伸部，所述第一延伸部与所述第一漏极电性连接且所述第一延伸部与所述共通线部分重叠而构成第三储存电容，所述第二延伸部与所述第二漏极电性连接且所述第二延伸部与所述共通线部分重叠而构成第四储存电容。

14.如权利要求13所述的像素结构，其特征在于，所述第一栅极线、第二栅极线与所述共通线由第一金属层所构成，且所述数据线、所述第一延伸部与所述第二延伸部由第二金属层所构成。

15.如权利要求13所述的像素结构，其特征在于，所述第一延伸部与所述共通线的重叠面积不同于所述第二延伸部与所述共通线的重叠面积。

16.如权利要求8、9或10所述的像素结构，其特征在于，所述数据线位于所述第一次像素区的周边。