[发明专利]像素结构及其制作方法有效
| 申请号: | 200910150065.3 | 申请日: | 2009-06-30 |
| 公开(公告)号: | CN101582423A | 公开(公告)日: | 2009-11-18 |
| 发明(设计)人: | 郭峻廷;许哲嘉;吕昭良 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/528;H01L21/82;G09F9/00 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 |
| 地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 结构 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明是关于一种显示面板的像素结构及其制作方法,尤指一种包含有多个次像素共用同一数据线的像素结构及其制作方法。
背景技术
显示面板包含有多个以阵列方式排列的像素,其中各像素包含有多个次像素,例如红次像素、绿次像素与蓝次像素,分别用以提供不同原色的光线,例如红光、绿光与蓝光。对于各像素而言,依据接收到的数据信号,各像素的次像素所提供的不同原色的光线会具有相对应的灰阶值,而上述具有不同灰阶值的不同原色光线在混光后可使得各像素分别显示出具有特定亮度与颜色的光线,藉此所有像素可显示出欲显示的彩色显示画面。
由于各像素的各次像素必须接收不同的数据信号,因此用以传输数据信号的数据线的数目会随着显示面板的解析度的提升而增加。然而,由于数据线由不透光导电材料所构成,因此过多的数据线会影响到显示面板的开口率,而成为显示面板的亮度无法进一步提升的限制。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种像素结构及其制作方法,以减少数据线的数目并提升开口率。
为达上述目的,本发明提供一种像素结构,包括基板、第一栅极线、第二栅极线、第一开关元件、第二开关元件、第一像素电极与第二像素电极。基板包括第一次像素区与第二次像素区;第一栅极线设置于第一次像素区与第二次像素区的一侧;第二栅极线设置于第一次像素区与第二次像素区相对于第一栅极线的另一侧;第一开关元件设置于第一次像素区内,第一开关元件具有第一栅极、第一源极与第一漏极,且第一栅极与第一栅极线电性连接;第二开关元件设置于第二次像素区内,第二开关元件具有第二栅极、第二源极与第二漏极,且第二栅极与第二栅极线电性连接;一数据线,设置于所述第一次像素区的一侧,且所述数据线与所述第一源极电性连接;第一像素电极设置于第一次像素区内且与第一漏极电性连接,其中第二源极通过第一像素电极与第一漏极电性连接,并且所述第二源极经由所述第一像素电极接收数据线所传送的数据信号;第二像素电极设置于第二次像素区内,且第二像素电极与第二漏极电性连接。
为达上述目的,本发明另提供一种制作像素结构的方法,包括下列步骤。首先提供基板,并于基板上定义出第一次像素区与第二次像素区。接着于基板上形成第一图案化金属层,第一图案化金属层包括第一栅极线、第二栅极线、第一栅极与第二栅极,其中第一栅极线位于第一次像素区与第二次像素区的一侧;第二栅极线位于第一次像素区与第二次像素区相对于第一栅极线的另一侧;第一栅极位于第一次像素区内并与第一栅极线电性连接;第二栅极,位于第二次像素区内并与第二栅极线电性连接。接着,形成栅极绝缘层与半导体层。随后,形成第二图案化金属层,第二图案化金属层包括第一源极、第一漏极、第二源极与第二漏极,其中第一源极与第一漏极,位于第一次像素区内,且第一源极、第一漏极与第一栅极形成第一开关元件;第二源极与第二漏极,位于第二次像素区内,且第二源极、第二漏极与第二栅极形成第二开关元件。之后,形成一介电层。接着,于介电层上形成透明导电层,并图案化透明导电层以形成第一像素电极与第二像素电极。第一像素电极位于第一次像素区内并与第一漏极电性连接,且第二源极通过第一像素电极与第一漏极电性连接。第二像素电极位于第二次像素区内,且第二像素电极与该第二漏极电性连接。
本发明的像素结构利用像素电极电性连接数据线与相邻次像素区的开关元件的源极,可使多个次像素共用同一数据线,因此可减少数据线的数目,并增加像素结构的开口率。
附图说明
图1为本发明第一较佳实施例的像素结构的上视示意图;
图2为图1的像素结构沿切线A-A’、B-B’、C-C’与D-D’的剖面示意图;
图3为本发明第二较佳实施例的像素结构的示意图;
图4为本发明第三较佳实施例的像素结构的示意图;
图5为图4所示的像素结构沿切线E-E’、F-F’、G-G’与H-H’的剖面示意图;
图6为本发明第四较佳实施例的像素结构的示意图;
图7为图6所示的像素结构沿切线J-J’的剖面示意图。
附图标号:
10 像素结构 12 基板
121 第一次像素区 122 第二次像素区
141 第一栅极线 142 第二栅极线
15 半导体层 151 栅极绝缘层
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