[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
申请号: | 200910145648.7 | 申请日: | 2009-05-27 |
公开(公告)号: | CN101593735A | 公开(公告)日: | 2009-12-02 |
发明(设计)人: | 太田祐介;杉山道昭;石川智和;冈田三香子 | 申请(专利权)人: | 株式会社瑞萨科技 |
主分类号: | H01L23/12 | 分类号: | H01L23/12;H01L23/48;H01L23/482;H01L23/16;H01L23/544;H01L21/48;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/54 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 郭 放 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种具有改善了的可靠性的半导体器件。半导体器件包括:布线板;通过金凸起被倒装片键合到布线板之上的微型计算机芯片;层叠于微型计算机芯片之上的第一存储器芯片;用于将第一存储器芯片耦接到布线板的布线;用来填充微型计算机芯片的倒装片接合部分的底部填充材料;和用于用树脂密封微型计算机芯片和第一存储器芯片的密封部件。另外,使与填充底部填充材料过程中的排气侧的芯片的角部相对应的布线板的阻焊剂膜的第二开口部分的角部靠近微型计算机芯片,这能够改善在第二开口部分处底部填充材料的润湿性和扩展性,从而减少引线在第二开口部分处的暴露,由此改善半导体器件的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种半导体器件,包括:衬底,其包括多个键合引线,并具有形成在其表面之上的绝缘膜,所述键合引线被暴露于所述绝缘膜的开口;半导体芯片,其具有矩形平面形状,并包括主表面和背表面,在该主表面上形成有多个焊盘,所述背表面与所述主表面相对置,所述半导体芯片以所述主表面对着所述衬底的表面的方式通过形成于所述焊盘之上的突出电极而被安装于所述衬底的表面之上;底部填充材料,用于填充所述衬底与所述半导体芯片之间的间隙;以及多个外部端子,其被设置于所述衬底的背表面以用于与外部部分耦接,其中,沿着所述半导体芯片的外围形状形成所述衬底的所述绝缘膜的开口,该开口包括与所述半导体芯片的角部相对应的第一开口部分、以及与第一开口部分对置的第二开口部分,在所述开口的外侧设置有要与外部端子耦接的多个通孔,所述键合引线包括从所述通孔引出到所述开口中的引线布线、和安装部分,所述突出电极安装在该安装部分上,在从所述衬底的侧边的外侧到所述开口中的方向上引出的所述键合引线、和在从所述半导体芯片的中心到所述开口中的方向上引出的所述键合引线,在所述开口中被交替地设置,所述衬底的开口被形成为具有四个角部的平面形状的矩形形状,其中第一开口部分具有四个角部中的第一角部,第二开口部分具有四个角部中的第二角部,以及所述第二角部和与之相邻的所述半导体芯片的角部之间的距离比所述第一角部和与之相邻的所述半导体芯片的角部之间的距离短。
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