[发明专利]功率半导体模块及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910140303.2 申请日: 2005-09-09
公开(公告)号: CN101609826A 公开(公告)日: 2009-12-23
发明(设计)人: 井川修;望月英司;早乙女全纪;有川典男 申请(专利权)人: 富士电机电子技术株式会社
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/48;H01L23/498;H01L25/00
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 代理人: 龙 淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种能够高效率制造的功率半导体模块及其制造方法。在功率半导体模块(1)中,引线框(9)同时具有内部端子(30)和外部端子(6),其多个外部端子(6)同时被软焊在半导体芯片(8)上。因此,没有必要如引线接合那样逐根进行连接,从而能够高效率得到功率半导体模块。此外,因为不是用引线接合来进行连接,所以可以确保足够的电流容量。此外,在功率半导体模块(1)的制造过程中,不进行引线接合,而是通过回流焊接同时在同一工序中进行绝缘电路基板(7)和半导体芯片(8)、以及半导体芯片(8)和引线框(9)的接合。因此,能够使其安装时间缩短到非常短,从而能够高效率地制造功率半导体模块。
搜索关键词: 功率 半导体 模块 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种功率半导体模块,其被安装在主体装置的控制电路基板上,且在其内部具有功率半导体元件,其特征在于,包括:引线框,其一端构成连接所述控制电路基板的外部端子,另一端构成连接半导体芯片的内部端子;端子盒,与所述引线框一体形成,并收容其所述内部端子;和绝缘电路基板,其被收容在所述端子盒内,单面从所述端子盒的与所述控制电路基板相反的一侧露出而构成散热面,将所述半导体芯片安装在与所述散热面相反一侧的面上,其中,一个或者多个所述半导体芯片采用硬焊方式被焊接在所述绝缘电路基板上,所述引线框采用硬焊方式被焊接在所述半导体芯片的与所述绝缘电路基板相反一侧的面上。
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