[发明专利]一种降低寄生电容的接触焊盘及其制备方法有效
| 申请号： | 200910049638.3 | 申请日： | 2009-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101533813A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 黎坡;张拥华;周建华;彭树根 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/60;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王 洁 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种降低寄生电容的接触焊盘及其制备方法，属于半导体制造技术领域。本发明提供的接触焊盘包括焊盘金属层、以及通过第一类型半导体掺杂和第二类型半导体掺杂在相邻区域之间交叉进行而形成的全耗尽层区域，全耗尽层区域形成于半导体衬底中并位于焊盘金属层正下方的半导体衬底的上表层。全耗尽层区域使焊盘金属层与半导体衬底之间的距离增大，降低了接触焊盘的寄生电容值；同时，全耗尽层区域制备方法简单，不增加接触焊盘的制备工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 寄生 电容 接触 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种接触焊盘，包括焊盘金属层，其特征在于，还包括通过第一类型半导体掺杂和第二类型半导体掺杂在相邻区域之间交叉进行而形成的全耗尽层区域，所述全耗尽层区域位于所述焊盘金属层的正下方、并形成于半导体衬底的上表层。
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