[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，所述方法包括：提供半导体晶片；在芯片区内的介质层中镶嵌最后一层金属互连层；在芯片区内的最后一层金属互连层上形成第一钝化层，所述第一钝化层中对应最后一层金属互连层的位置具有焊垫开口；形成覆盖于刻标区内的介质层上和所述芯片区内的第一钝化层上的金属层，并由芯片区内的金属层形成连接最后一层金属互连层的焊垫层；形成覆盖于刻标区内的金属层和所述芯片区内的焊垫层上的第二钝化层，第二钝化层中对应焊垫层的位置处具有顶层开口；在刻标区内形成半导体晶片的标记，标记嵌入所述第二钝化层和所述金属层中。上述装置及其制造方法能够在刻标区中形成有效电路并且能够获得清晰的半导体晶片标记。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：步骤S1：提供半导体晶片，所述半导体晶片具有半导体器件层和半导体器件层上的至少两层金属互连层，所述半导体晶片分为刻标区和刻标区之外的芯片区；步骤S2：在所述至少两层金属互连层上形成介质层；步骤S3：在所述芯片区内的介质层中镶嵌最后一层金属互连层；步骤S4：在所述芯片区内的最后一层金属互连层上形成第一钝化层，所述第一钝化层中对应最后一层金属互连层的位置具有焊垫开口；步骤S5：形成覆盖于所述刻标区内的介质层上和所述芯片区内的第一钝化层上的金属层，并由所述芯片区内的金属层形成连接最后一层金属互连层的焊垫层；步骤S6：形成覆盖于所述刻标区内的金属层和所述芯片区内的焊垫层上的第二钝化层，所述第二钝化层中对应焊垫层的位置处具有顶层开口；步骤S7：在所述刻标区内形成半导体晶片的标记，所述标记嵌入所述第二钝化层和所述金属层中。