[发明专利]金属-半导体场效应晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种在碳化硅中形成的金属-半导体场效应晶体管，主要解决器件制作过程中在表面形成的表面陷阱问题。该晶体管包括：半绝缘型碳化硅衬底(1)、p型碳化硅缓冲层(2)、n型碳化硅导电沟道层(3)、n+盖帽层(5)，源极(7)和漏极(8)，其中n型导电沟道层(3)与n+盖帽层(5)之间设有n型碳化硅缓冲层(4)，该缓冲层内埋有栅极(6)，形成埋沟-埋栅结构。该器件制作的过程为：在半绝缘碳化硅衬底上依次外延生长p型碳化硅缓冲层、n型碳化硅沟道层、n型碳化硅缓冲层、n+盖帽层，在n+盖帽层上刻蚀栅凹槽窗口及牺牲氧化，并通过蒸发金属、剥离形成源极、漏极及栅极。本发明可用于高频大功率集成电路的制作。

主权项

1.一种金属-半导体场效应晶体管，包括：半绝缘型碳化硅衬底(1)、p型碳化硅缓冲层(2)、n型碳化硅导电沟道层(3)、n+盖帽层(5)，源极(7)和漏极(8)，其特征在于n型导电沟道层(3)与n+盖帽层(5)之间设有一层n型碳化硅缓冲层(4)，该缓冲层内埋有栅极(6)，形成埋沟-埋栅结构。