[发明专利]半导体基底及其制造方法有效
| 申请号： | 200910008035.9 | 申请日： | 2009-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN101521211A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 金元住;李太熙;车大吉;朴允童 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/762;H01L21/302;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭鸿禧;刘奕晴 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了半导体基底及其制造方法。所述半导体基底包括基底区域、绝缘区域和浮置主体区域。绝缘区域设置在基底区域上。浮置主体区域通过绝缘区域与基底区域分离，并设置在绝缘区域上。基底区域和浮置主体区域由具有相同特性的材料形成。制造半导体基底的方法包括以下步骤：通过蚀刻体基底，形成至少一个浮置主体图案；通过蚀刻浮置主体图案的中间部分，将体基底分离成基底区域和浮置主体区域；在浮置主体区域和基底区域之间填充绝缘材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 基底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体基底，所述半导体基底包括：绝缘区域，位于基底区域上；浮置主体区域，通过绝缘区域与基底区域分离，并设置在绝缘区域上，基底区域和浮置主体区域由具有相同特性的材料形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910008035.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：固态成像装置和照相机
- 下一篇：有源矩阵基板和显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
